简介
TMR2501采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件，可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出。在-55℃~+150℃范围内，TMR2501的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。TMR2501性能优越，采用两种封装形式：TO94和SSIP4。
应用
（1）磁力计；（2）电流传感器；（3）位置传感器。
特性
（1）隧道磁电阻(TMR)技术；（2）高灵敏度；（3）低功耗；（4）优越的温度稳定性；（5）极低的磁滞；（6）宽工作电压范围
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 封装形式 | TO94 SSIP4 |
| 交付周期 | In stock |
| 供电电压 | 0～7 V |
| 敏度（mV/V/Oe） | 0.3 |
| 兼容型号 | TMR501 |
| 电阻（kΩ） | 5 |
| 磁阻结构 | 全桥 |
| 饱和场（Oe） | ±1k |
| 磁滞（Oe） | 1 |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | ～50 |
| 敏感方向 | Z轴 |
| 产品型号 | TMR2501 |
