产品概述
TMR2901采用独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个高灵敏度TMR传感器元件。该传感器基于隧道磁电阻（TMR）技术，具有高灵敏度、低噪声、低功耗、优越的温度稳定性等特性。产品提供SOP8（6mm x 5mm x 1.5mm）和DFN8（3mm x 3mm x 0.75mm）两种封装形式，适用于多种工业和消费类应用场景。
核心特点/优势
- 采用TMR技术，灵敏度高达25 mV/V/Oe
- 本底噪声低至2 nT/√Hz @1Hz，适合微弱磁场检测
- 磁滞仅为0.2 Oe，响应更稳定
- 工作电压范围宽（0～7 V），无需置位/复位脉冲电路
- 温度稳定性优异，适用于宽温环境（-40～125 ℃）
- 低功耗设计，工作电流仅0.1 μA
应用领域
- 微弱磁场检测
- 电流传感器
- 位置传感器
选型指南/使用建议
TMR2901适用于需要高精度磁场检测的场景，推荐在1V供电条件下使用以获得最佳性能。产品提供SOP8和DFN8两种封装形式，便于在不同空间限制下进行选型。使用时应避免超过4000 Oe的冲击磁场，并确保工作温度在-40～125 ℃范围内。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 工作电流 | 0.1 μA @1V |
| 本底噪声 | 2 nT/√Hz @1Hz |
| 灵敏度 | 25 mV/V/Oe |
| 电阻（kΩ） | 45,7～10 |
| 非线性度 | 0.3 %FS |
| 供电电压 | 0～7 V |
| 失调电压 | -10～10 mV |
| 饱和场（Oe） | ±20 |
| 兼容型号 | — |
| 饱和场 | ±20 Oe |
| 交付周期 | In stock |
| 磁滞 | 0.2 Oe |
| 产品型号 | TMR2901 |
| 工作温度范围 | -40～125 ℃ |
| 电阻值 | 45.7～10 kΩ |
| 失调电压温度系数 | -500 mV/V/℃ |
| 敏度（mV/V/Oe） | 25 |
| 灵敏度温度系数 | -1100 PPM/℃ |
| 封装形式 | SOP8 DFN8L(3×3×0.75) |
| 磁滞（Oe） | 0.2 |
| 存储温度范围 | -50～150 ℃ |
| 敏感方向 | Y轴 |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | ～2 |
| 磁阻结构 | 全桥 |
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