简介
TMR2901采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个高灵敏度TMR传感器元件。TMR2901性能优越，采用的封装形式：SOP8（6mm x 5mm x 1.5mm）和DFN8（3 mm ´ 3 mm ´ 0.75 mm）两种。
特性
（1）隧道磁电阻 ( TMR) 技术;（2）高灵敏度 (25mV/V/Oe);（3）低的本底噪声 (2nT/rt(Hz) @1Hz);（4）低功耗;（5）优越的温度稳定性;（6）低的磁滞;（7）宽工作电压范围;（8）不需要置位/复位脉冲电路
应用
（1）微弱磁场检测;（2）电流传感器;（3）位置传感器
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 磁阻结构 | 全桥 |
| 饱和场（Oe） | ±20 |
| 敏感方向 | Y轴 |
| 磁滞（Oe） | 0.2 |
| 交付周期 | In stock |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | ～2 |
| 封装形式 | SOP8 DFN8L(3×3×0.75) |
| 敏度（mV/V/Oe） | 25 |
| 兼容型号 | — |
| 电阻（kΩ） | 45,7～10 |
| 供电电压 | 0～7 V |
| 产品型号 | TMR2901 |
