简介
TMR2905采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2905性能优越，采用的封装形式：SOP8（6mm x 5mm x 1.5mm）。
特性
（1）隧道磁电阻 (TMR)技术；（2）更高灵敏度(50~60mV/V/Oe)；（3）宽动态范围；（4）低功耗；（5）优越的温度稳定性；（6）更低的磁滞；（7）宽工作电压范围；（8）更低的本底噪声 (<5nT/rt(Hz) @1Hz)
应用
（1）微弱磁场检测；（2）电流传感器；（3）位置传感器
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 敏度（mV/V/Oe） | 45～65 |
| 兼容型号 | — |
| 电阻（kΩ） | 45,2～8 |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | ～2 |
| 封装形式 | SOP8 DFN8L(3×3×0.75) |
| 产品型号 | TMR2905 |
| 供电电压 | 0～7 V |
| 饱和场（Oe） | ±11 |
| 敏感方向 | Y轴 |
| 交付周期 | In stock |
| 磁阻结构 | 全桥 |
| 磁滞（Oe） | ＜0.8 |
