简介
TMR9003采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR9003性能优越，采用的封装形式：SOP8（6mm×5mm×1.5mm）。
应用
（1）微弱磁场检测；（2）电流传感器；（3）位置传感器；（4）生物医疗；（5）磁通讯
特性
（1）隧道磁电阻（TMR）技术；（2）高灵敏度（30mV/V/Oe）；（3）更低的本底噪声（750pT/√Hz @1Hz）；（4）宽动态范围；（5）更低功耗；（6）优越的温度稳定性；（7）更低的磁滞；（8）宽工作电压范围；（9）不需要置位/复位脉冲电路
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 磁滞（Oe） | 0.1 |
| 产品型号 | TMR9003 |
| 敏度（mV/V/Oe） | 30 |
| 封装形式 | SOP8 |
| 供电电压 | 0～3 V |
| 交付周期 | In stock |
| 磁阻结构 | 全桥 |
| 饱和场（Oe） | ±15 |
| 敏感方向 | X轴 |
| 电阻（kΩ） | 50 |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | 0.75 |
| 兼容型号 | — |
