简介
TMR9112传感器磁阻的惠斯通桥可以用电压或者电流驱动，改配置能够在暴露在大磁场环境中或者极低温度下依然稳定的测量磁场。 通电时，磁阻的惠斯通桥把灵敏度方向的磁场转换为电压输出。出了磁阻的桥接电路，传感器还包含一个磁耦合的初始化线圈。该多维专利特性允许适当的磁域对齐，即使在不受控制的环境中，大磁场暴露或温度变化不可避免，能有一个传感器，可以提供稳定的低磁滞和低偏置输出。TMR9112 封装形式：LGA （6mm X 6 mm X 0.75 mm）。
特性
（1）隧道磁电阻（TMR）技术；（2）超高灵敏度（100mV/V/Oe）；（3）极低的本底噪声（150pT/√Hz@1Hz）；（4）超低功耗；（5）优越的温度稳定性；（6）低的磁滞；（7）宽工作电压范围；（8）暴露在大磁场后精确操控的初始线圈
应用
（1）微弱磁场检测；（2）电流传感器；（3）位置传感器；（4）生物医疗；（5）磁通讯；（6）不受控制的磁环境的精密传感
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 供电电压 | 0～7 V |
| 交付周期 | In stock |
| 封装形式 | LGA(6x6x0.75) |
| 敏度（mV/V/Oe） | 100 |
| 磁滞（Oe） | 0.02 |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | 0.15 |
| 电阻（kΩ） | 50 |
| 磁阻结构 | 全桥 |
| 产品型号 | TMR9112 |
| 兼容型号 | — |
| 饱和场（Oe） | ±8 |
| 敏感方向 | X轴 |
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