多维科技 200nA低功耗双极锁存型磁开关传感器 TMR1262

品牌 MDT 多维科技

分类 200nA低功耗双极锁存型磁开关传感器

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简介

TMR1262是一款集成了隧道磁阻(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。TMR1262采用TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1262通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源,并允许宽的工作电压范围。TMR1262以低电压工作、200nA级的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1262采用三种封装形式:SOT23-3和TO-92S,所对应的产品型号分别为TMR1262S和TMR1262T。

应用

(1)计量仪表(水表,气表,热量表);(2)固态开关;(3)速度检测;(4)线性及旋转位置检测


特性

(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)更低功耗(200nA);(3)50Hz高频率响应;(4)双极锁存型开关;(5)-40~125℃宽工作温度范围;(6)1.8V~5.5V宽工作电压范围;(7)CMOS输出;(8)优越的抗外磁场性能




技术参数

规格项参数值
封装形式SOT23-3 TO92S
类型双极锁存
功耗200nA
B_op (Gs,25°C)17
交付周期In stock
敏感方向X轴
兼容型号—
供电电压1.8~5.5 V
工作模式分时供电
输出接口CMOS
产品型号TMR1262
B_rp (Gs,25°C)-17
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