简介

TMR1345是一款集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的全极磁开关。TMR1345采用高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1345通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围。TMR1345以低电压工作、1微安级的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1345采用更小体积的LGA2x1.5x0.63 -3L的封装形式。

特性

（1）隧道磁电阻 (TMR) 技术；（2）1.5微安更低功耗；（3）高频率响应 > 1kHz；（4）全极磁开关；（5）高灵敏度，低开关点；（6）宽工作电压范围；（7）卓越的温度稳定性；（8）优越的抗外磁场性能；（9）更小型封装（LGA2x1.5x0.63 -3L）

应用

（1）流量计，包括水表、气表和热量表；（2）接近开关；（3）速度检测；（4）位置检测；（5）电机和风扇控制

技术参数