简介
AMR2201采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含X/Y双轴各四个高灵敏度AMR传感器元件。得益于江苏多维科技有限公司独特的设计，AMR2201无需进行置位/复位动作，极大简化了外围信号处理电路的设计，节约客户成本，方便客户使用。AMR2201性能优越，采用的封装形式：SOP8（6mmx 5mm x 1.5mm）。
特性
（1）各向异性磁电阻技术；（2）不需要置位/复位脉冲电路；（3）低噪音-- 1nT/sqrt(Hz)@1Hz；（4）宽工作温度范围 -- -40 ℃至+125 ℃；（5）宽工作电压范围 -- 1至12V；（6）超宽饱和磁场范围 -- ±20 Oe
应用
（1）微弱磁场检测；（2）电流传感器；（3）位置传感器；（4）实时流向测量；（5）导航系统，罗盘定向；（6）交通流量检测
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 电阻（kΩ） | 0.8 |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | ～1 |
| 产品型号 | AMR2201 |
| 交付周期 | In Stock |
| 兼容型号 | ― |
| 敏感方向 | X/Y轴 |
| 供电电压 | 1～12 V |
| 敏度（mV/V/Oe） | 0.4 |
| 磁阻结构 | / |
| 封装形式 | SOP8 |
| 饱和场（Oe） | ±20 |
| 磁滞（Oe） | 0.02 |
