简介
AMR2501采用独特的推挽式惠斯通电桥结构设计，惠斯通电桥包含四个高灵敏度AMR传感元件，独特AMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。AMR2501性能优越，采用极小封装形式DFN5X6 -16L。
特性
（1）基于各向异性磁电阻技术；
（2）优越的温度稳定性；
（3）低成本；
（4）低磁滞；
（5）宽工作电压范围；
（6）低本底噪声（ 150pT/√Hz@1Hz）；
（7）小尺寸封装。
应用
（1）微弱磁场检测；
（2）电流传感器；
（3）位置传感器；
（4）导航系统，罗盘定向；
（5）交通流量检测；
（6）磁强计；
（7）磁开关传感器。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 敏度（mV/V/Oe） | 2.1 |
| 磁阻结构 | / |
| 交付周期 | In Stock |
| 饱和场（Oe） | ±4 |
| 敏感方向 | X轴 |
| 电阻（kΩ） | 0.77 |
| 磁滞（Oe） | 0.02 |
| 封装形式 | DFN5X6 -16L |
| 兼容型号 | ― |
| 供电电压 | 1～12 V |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | 0.15 |
| 产品型号 | AMR2501 |
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