产品概述
武汉普赛斯仪表PMST系列半导体测试设备是一款专为功率半导体器件设计的静态参数测试系统。该设备集多种测量与分析功能于一体，可精准测量IGBT等分立器件的静态参数，具备高电压、大电流、高精度测量能力，支持多种电容参数及特性曲线扫描测试，适用于常温及高温测试环境。
核心特点/优势
- 高电压、大电流：最大测试电压达3500V（可扩展至10kV），最大测试电流达6000A（多模块并联）
- 高精度测量：支持nA级漏电流、μΩ级导通电阻测量，整体测量精度达0.1%
- 模块化设计：系统采用模块化结构，支持灵活配置与后期升级，适应不同测试需求
- 测试效率高：内置专用开关矩阵，支持一键测试国标全指标，自动切换电路与测量单元
- 扩展性强：支持常温及高温测试，可灵活定制各类夹具
应用领域
- 适用于IGBT等功率半导体器件的静态参数测试
- 支持多种电容参数测量，如输入电容、输出电容、反向传输电容
- 适用于I-V特性曲线扫描、C-V特性曲线扫描等测试项目
选型指南/使用建议
根据实际测试需求选择合适的测量模块配置，建议预留升级空间以适应未来测试需求变化。系统支持常温及高温测试，需根据测试环境选择合适的夹具与测试条件。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 静态参数测量精度 | 0.1% |
| 导通电阻测量精度 | μΩ级 |
| 最大测试电压 | 3500V（最大可扩展至10kV） |
| 最大测试电流 | 6000A（多模块并联） |
| 测试项目 | Vces、V(br)ces、Vcesat、Ices、Iges、Vges、Vge(th)、输入电容、输出电容、反向传输电容、Vf、I-V特性曲线扫描、C-V特性曲线扫描 |
| 漏电流测量精度 | nA级 |
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