产品概述
武汉普赛斯仪表PMST-8000V/6000A半导体测试设备是一款专为功率半导体器件设计的高电压大电流测试系统。该设备集多种测量和分析功能于一体，可精准测量IGBT等功率半导体器件的静态参数，具备高电压、大电流、高精度测量能力，支持多种电容参数测量及特性曲线扫描，适用于SiC和GaN等第三代半导体器件的测试需求。
核心特点/优势
- 高电压、大电流：最大输出电压达3500V（可扩展至10kV），最大输出电流达6000A（多模块并联）
- 高精度测量：支持nA级漏电流、μΩ级导通电阻、0.1%精度测量
- 模块化配置：系统采用模块化设计，支持灵活配置与后期升级
- 测试效率高：内置专用开关矩阵，支持一键测试国标全指标
- 扩展性好：支持常温及高温测试，可灵活定制各种夹具
应用领域
- 功率半导体器件的静态参数测试
- IGBT器件的全面测试
- SiC和GaN等第三代半导体器件测试
- 半导体材料与器件的高精度测量分析
选型指南/使用建议
建议根据实际测试需求选择合适的模块配置，系统预留升级空间，便于后期扩展。测试环境应满足常温或高温测试条件，支持多种夹具定制，以适应不同器件的测试需求。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 最大输出电压 | 3500V（最大可扩展至10kV） |
| 最大输出电流 | 6000A（多模块并联） |
| 漏电流测量精度 | nA级 |
| 电荷测量精度 | μQ级 |
| 静态参数测量精度 | 0.1% |
| 导通电阻测量精度 | μΩ级 |
| 支持测试项目 | Vces、V(br)ces、Vcesat、Ices、Iges、Vges、Vge(th)、输入电容、输出电容、反向传输电容、Vf、I-V特性曲线、C-V特性曲线 |
温馨提示
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