技术参数
规格项 | 参数值 |
---|---|
封装/外壳 | TO-8 型,12 引线 |
波长 | 900nm |
响应时间 | 7ns |
二极管类型 | 雪崩 |
安装类型 | 通孔 |
有效面积 | 0.5mm² |
不同 nm 时响应度 | 2700 KV/W @ 830nm,3000 KV/W @ 900nm |
工作温度 | -40°C ~ 70°C |
频谱范围 | 400nm ~ 1100nm |
技术参数
规格项 | 参数值 |
---|---|
封装/外壳 | TO-8 型,12 引线 |
波长 | 900nm |
响应时间 | 7ns |
二极管类型 | 雪崩 |
安装类型 | 通孔 |
有效面积 | 0.5mm² |
不同 nm 时响应度 | 2700 KV/W @ 830nm,3000 KV/W @ 900nm |
工作温度 | -40°C ~ 70°C |
频谱范围 | 400nm ~ 1100nm |
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