产品概述
普赛斯PMST-8000V是一款专为第三代半导体功率器件设计的高精度静态参数测试设备，适用于SiC、GaN、MOSFET、IGBT等器件的测试。该系统集成了多种测量和分析功能，具备高电压、大电流、高精度测试能力，支持μΩ级导通电阻、nA级漏电流测量，以及C-V、I-V特性曲线扫描。系统采用模块化设计，支持多种测试夹具和温控模块，可与探针台、高低温箱等设备配合使用，满足晶圆级测试和高低温测试需求。
核心特点/优势
- 支持高达3500V电压测试，最大扩展至10kV
- 支持高达6000A大电流测试，典型上升时间为15μs
- 测试精度高达0.1%，支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测量
- 内置多种测试模板，支持一键导出参数配置和测试数据
- 模块化设计，支持灵活配置和功能扩展
- 支持C-V、I-V特性曲线扫描，测试数据可图形化展示
- 支持高低温测试，温控精度±1℃
应用领域
- 半导体功率器件静态参数测试
- SiC、GaN等第三代半导体器件测试
- IGBT、MOSFET等硅基功率器件测试
- 晶圆级芯片测试
- 高低温环境下的器件性能测试
选型指南/使用建议
建议根据测试器件类型选择合适的测试夹具和模块配置。系统支持与探针台、高低温箱等设备联用，以满足不同测试场景需求。测试环境应保持稳定，避免电磁干扰。测试数据可导出为多种格式，便于后续分析。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 电容测试范围 | 0.01pF~9.9999F |
| 大电流上升时间 | 15μs |
| 最大电压 | 3500V |
| 栅极-发射极最大电压 | 30V |
| 电容测试频率范围 | 10Hz-1MHz |
| 大电流脉宽范围 | 50μs-500μs |
| 最大电流 | 6000A |
| 栅极-发射极最大电流 | 10A（脉冲） |
| 温控范围 | 25℃-200℃ |
| 测试精度 | ±0.1% |
| 栅极-发射极漏电流测试范围 | 10pA |
| 温控精度 | ±1℃ |
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