产品概述
普赛斯国产S200B型仪表是一款专为半导体功率器件设计的C-V测试系统，广泛应用于MOS结构的电容-电压（C-V）特性测量。通过C-V曲线测试，可精确测量二氧化硅层厚度（dox）、衬底掺杂浓度（N）、氧化层中可动电荷面密度（Q1）和固定电荷面密度（Qfc）等关键参数。
核心特点/优势
- 频率范围宽：支持10Hz~1MHz连续频率点可调
- 高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度达0.1%
- 内置CV测试：集成自动化CV测试软件，支持C-V、C-T、C-F等多种测试功能
- 兼容IV测试：同时支持击穿特性及漏电流特性测试
- 实时曲线绘制：软件界面直观展示测试数据及曲线，便于实时监控
- 扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配
应用领域
- 半导体参数测试
- MOS结构测试
- 氧化层厚度测量
- 衬底掺杂浓度测量
- 电荷面密度测量
选型指南/使用建议
系统由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持0.1Hz~1MHz频率范围，源表提供可调直流电压偏置。建议根据测试需求选择合适的模块组合，并确保测试环境稳定，以获得高精度测量结果。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 测试功能 | C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率） |
| 频率范围 | 10Hz~1MHz |
| 偏压精度 | 0.1% |
| 偏压范围 | 0V~3500V |
| 支持测试类型 | 击穿特性，漏电流特性 |
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