产品概述
普赛斯仪表PMST-2200V功率器件静态参数测试系统，是一款专为IGBT、SiC、GaN等功率半导体器件设计的高精度测试设备。系统集成了多种测量单元模块，支持I-V、C-V特性曲线扫描，可精准测量导通电阻、漏电流、击穿电压、阈值电压等关键参数。系统具备高电压、大电流、高精度、模块化设计等优势，适用于晶圆级芯片测试、高低温测试等多种测试场景。
核心特点/优势
- 支持高达3500V电压测试，最大扩展至10kV
- 支持高达6000A大电流测试，典型上升时间为15μs
- 具备μΩ级导通电阻、nA级漏电流测试能力
- 内置多种测试模板，支持一键配置与测试
- 模块化设计，支持灵活扩展与升级
- 支持与探针台、高低温箱等设备联用
- 支持图形界面与表格展示测试结果，数据可一键导出
应用领域
- IGBT、MOSFET、BJT等功率器件静态参数测试
- SiC、GaN等第三代半导体器件测试
- 晶圆级芯片测试
- 高低温环境下的器件性能测试
- 半导体材料与器件生产全产业链测试
选型指南/使用建议
建议根据测试器件类型、电压电流需求、测试精度要求选择配置模块。系统支持与探针台、高低温箱等设备联用，建议在恒温、低干扰环境下使用。测试数据可导出为表格或曲线图，便于分析与存档。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 温控范围 | 25℃-200℃ |
| 栅极-发射极最大电压 | 30V |
| 电流准确度 | ±0.05% |
| 大电流上升沿 | 典型值15μs |
| 栅极-发射极最大电流 | 10A（脉冲） |
| 电容测试范围 | 0.01pF~9.9999F |
| 温控准确度 | ±1℃ |
| 电容测试频率范围 | 10Hz-1MHz |
| 栅极-发射极最小电流分辨率 | 10pA |
| 电压准确度 | ±0.1% |
| 大电压上升沿 | 典型值5ms |
| 漏电流测试范围 | 1nA-100mA |
| 大电流脉宽 | 50μs-500μs |
| 最大电压 | 3500V |
| 最大电流 | 6000A |
温馨提示
若上述内容存在差异，请以产品手册为准。
如需获取样品、技术支持或完整规格书，请点击联系销售。
声明：本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题，请联系本网处理，侵权内容将在一周内下架整改。
