技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 产品种类 | 光电晶体管 |
| 集电极—射极饱和电压 | 400 mV |
| 商标 | Inolux |
| 封装 | Bulk |
| 集电极—射极击穿电压 | 30 V |
| 下降时间 | 15 us |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 上升时间 | 15 us |
| 最大工作温度 | + 80 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 类型 | 3 mm Phototransistor |
| 产品 | Phototransistors |
| 波长 | 940 nm |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 暗电流 | 100 nA |
| Pd-功率耗散 | 75 mW |
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技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 产品种类 | 光电晶体管 |
| 集电极—射极饱和电压 | 400 mV |
| 商标 | Inolux |
| 封装 | Bulk |
| 集电极—射极击穿电压 | 30 V |
| 下降时间 | 15 us |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 上升时间 | 15 us |
| 最大工作温度 | + 80 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 类型 | 3 mm Phototransistor |
| 产品 | Phototransistors |
| 波长 | 940 nm |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 暗电流 | 100 nA |
| Pd-功率耗散 | 75 mW |
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