光电晶体管 Photo Diode 880nm

品牌 Marktech Optoelectronics

分类 Phototransistors

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技术参数

规格项参数值
下降时间10 us
安装风格Through Hole
长度4.65 mm
暗电流100 nA
封装 / 箱体TO-18-2
集电极—射极击穿电压30 V
集电极—发射极最大电压 VCEO30 V
集电极—射极饱和电压200 mV
波长880 nm
宽度4.65 mm
高度4.5 mm
封装Bulk
商标Marktech Optoelectronics
产品Phototransistors
产品种类光电晶体管
峰值波长880 nm
最大工作温度+ 100 C
上升时间10 us
工厂包装数量1
开启状态集电极最大电流50 mA
最小工作温度- 30 C
Pd-功率耗散250 mW
半强度角度110 deg
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