技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 封装 | Bulk |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 波长 | 935 nm |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| 商标 | Optek / TT Electronics |
| 安装风格 | Through Hole |
| 暗电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 封装 / 箱体 | T-1-2 |
| 产品种类 | 光电晶体管 |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 15 V |
| 集电极—射极击穿电压 | 15 V |
| 产品 | Phototransistors |
| 单位重量 | 425.035 mg |
| 类型 | NPN Silicon Phototransistor |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.1 V |
| 开启状态集电极最大电流 | 32 mA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
