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上海伯东日本原装进口适合小规模量产使用和实验室研究的离子蚀刻机, 一般通氩气 Ar, 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40 产生轰击离子; 终点检出器采用 Pfeiffer 残余质谱监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.
| 基板尺寸 | φ4 X 1wfr |
| 样品台 | 直接冷却（水冷）0-90 度旋转 |
| 离子源 | 4 cm,8cm,10cm,16cm 考夫曼离子源 |
| 均匀性 | ±5% for 4”Ф |
| 硅片刻蚀率 | 20 nm/min |
| 温度 | <100 |
离子束刻蚀机 IBE 特性:
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%
5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 配置德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵7. 机台设计使用自动化的操作流程, 非常友好的使用生产过程
伯东公司超过 50年的离子刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!
若您需要进一步的了解离子束刻蚀机 IBE 详细信息,
请联络上海伯东: 叶女士 13918837267 ( 微信同号 )
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技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 产地 | 日本 |
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