系统特点

高电压：支持高达3.5KV高电压测试（蕞大扩展至12kV）；大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试；模块化设计：内部采用模块化配置，可添加或升级测量单元；测试效率高：可自动切换、一键测试；温度范围广：支持常温、高温测试；兼容多种封装：根据测试需求可定制夹具；详询一八一四零六六三四七六

测试项目

二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、 正向电流IF、电容值Cd、I-V曲线、C-V曲线

三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容、Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线

光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、输入电容CT、输出电容CCE、 电流传输比CTR、隔离电容CIO

测试夹具

针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体，IGBT、SiC、MOS、GaN等产品，普赛斯提供整套测试夹具解决方案，可用于T0单管，半桥模组等产品的测试。