产品概述

深圳力钛科LET-5000系列功率半导体静态参数测试系统是一款集多种测量功能于一体的高精度测试设备。该系统专为精准测量不同封装类型的功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN等第三代半导体）的静态参数而设计。系统具备高电压、大电流输出特性，支持μΩ级导通电阻精确测量与nA级漏电流测试，并兼容高压模式下功率器件结电容（输入电容、输出电容、反向传输电容等）的宽频测试。采用模块化架构设计，测试方法灵活，可极大方便用户根据需求添加或升级测量单元。

核心特点/优势

• 超高电压与大电流能力：集电极-发射极电压最高支持8000V（可扩展至10kV），测试电流最高达6000A（多模块并联），满足大功率器件严苛测试需求。
• 纳安/微欧级高精度测量：具备nA级漏电流与μΩ级导通电阻测量能力，电压/电流测量精度高达±0.1%，最小电压分辨率达30μV，最小电流分辨率达1pA。
• 高速脉冲与同步采样：支持最高6000A高速脉冲电流输出，典型上升时间仅15μs，具备电压高速同步采样功能，精准捕捉瞬态特性。
• 宽频电容测试：支持10Hz~1MHz频率范围的电容特性测试，电容值覆盖0.01pF~9.9999F，精度达±0.01%~±0.05%。
• 模块化灵活配置：采用多量程测量单元模块设计，支持一键测试与自动切换，用户可根据器件迭代需求灵活添加或升级模块，测试效率高。
• 全封装兼容方案：提供完整的测试夹具解决方案，兼容TO单管、半桥模组等多种封装，后期支持按客户需求定制化开发。

应用领域

• 硅基及第三代半导体（SiC、GaN）功率器件研发与性能评估
• IGBT、MOSFET、BJT等功率半导体静态参数量产测试与质量控制
• 电力电子模块（如TO单管、半桥模组等）的出厂检验与可靠性验证
• 高校、科研院所及第三方检测机构的功率电子实验室建设

选型指南/使用建议

建议用户根据被测功率器件的具体封装形式（如TO系列、模块等）提前确认并定制对应的测试夹具，以确保接触可靠性与测试精度。系统采用模块化设计，初期可按核心参数需求配置基础测量单元，后续随产品线扩展灵活增补高压、大电流或电容测试模块。测试过程中需注意高压大电流脉冲环境下的安全防护与散热管理，合理设置电压/电流脉宽（1ms/50μs~500μs）与上升沿参数以平衡测试效率与器件热应力。软件支持多量程自动切换与一键测试流程，建议结合器件规格书优化测试序列配置。

技术参数