力钛科LETAK功率器件静态参数测试系统,集多种测量功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、nA级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

系统参数>>>

硬件优势>>>

力钛科LETAK功率器件静态参数测试系统,配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法灵活,能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

■ 高电压达8000V(最大扩展至10kV)

■ 大电流达6000A(多模块并联)

■ nA级漏电流μΩ级导通电阻

■ 高精度测量0.1%

■ 模块化配置可添加或升级测量单元

■ 测试效率高、自动切换、一键测试

■ 兼容多种封装根据测试需求定制夹具

软件特点>>>

■ 测试主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%

■ 最高支持8000V电压输出,且自带漏电流测量功能

■ 栅极-发射极,最大支持30V/10A脉冲电流输出与测试,可测试低至pA级漏电流

■ 电容特性测试包括输入电容、输出电容、以及反向传输电容测试,频率最高支持1MHz

■ 集电极-发射极,最大支持6000A高速脉冲电流,典型上升时间为15us,且具备电压高速同步采样功能

测试夹具>>>

针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体,IGBT、SiC、MOS、GaN等产品,力钛科提供整套测试夹具解决方案,可用于TO单管,半桥模组等产品的测试,后期可根据客户需求来定制化相对应封装。