产品概述
FH413A05三轴加速度传感器由西安方恒电子科技有限公司自主研发，采用低功耗、高精度、低噪声MEMS芯片，具有BIMOS信号限制电路。该传感器基于硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构，通过差动电容器机构测量加速度，适用于多种复杂环境下的加速度测量。
核心特点/优势
- 采用低功耗、高精度、低噪声MEMS芯片，具有高可靠性
- 具备自检测（Self-Test）功能，便于系统调试和维护
- 支持多种测量范围（±2g至±40g），满足不同应用场景需求
- 具备良好的温度稳定性，零偏温度变化范围为±0.2~±0.8 mg/°C
- 交叉轴影响≤2%，非线性度≤0.1%，测量精度高
- 抗冲击能力达5000g，适用于高冲击环境
应用领域
- 汽车测控系统
- 惯性导航系统
- 飞行器安全系统
- 地震监控系统
- 倾斜测量系统
- 振动和冲击试验台
选型指南/使用建议
该传感器适用于需要高精度、低噪声加速度测量的工业和科研场景。建议根据实际测量范围选择合适的量程配置。工作环境温度范围为-45°C至+85°C，供电电压为12V±0.5V，输入电流≤20mA。传感器体积为21.6×21.6×12.4 mm³，重量≤20g，便于集成。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 输入电流(mA) | ≤20 |
| 非线性度(%F.S) | ≤0.1 |
| 噪声密度(ug/√Hz) | 20~80 |
| 带宽(Hz) | 0~500 |
| 满量程输出(V) | 0.5-4.5 |
| 测量范围(g) | ±2, ±4, ±5, ±10, ±20, ±40 |
| 重量(g) | ≤20 |
| 供电电压(VDC) | 12±0.5 |
| 零g偏置电压(V) | 2.5±0.05 |
| 交叉轴影响(%) | ≤2 |
| 工作温度范围(°C) | -45~+85 |
| 抗冲击(g) | 5000 |
| 体积(mm³) | 21.6×21.6×12.4 |
| 零偏温度变化(mg/°C) | ±0.2~±0.8 |
| 灵敏度(mV/g) | 1000±50, 500±50, 400±30, 200±20, 100±10, 50±5 |
温馨提示
若上述内容存在差异，请以产品手册为准。
如需获取样品、技术支持或完整规格书，请点击联系销售。
声明：本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题，请联系本网处理，侵权内容将在一周内下架整改。
