产品概述
方舟智造 BIS脑电传感器专为麻醉深度监测设计，提供准确的脑状态指数（BIS值），帮助医生实时掌握患者脑功能状态，优化麻醉用药方案，避免术中知晓，加快术后恢复。
核心特点/优势
- 精准监测麻醉深度，避免术中知晓
- 实时反馈脑状态指数（BIS值），便于临床决策
- 减少麻醉药物用量，加快术后恢复
- 专为手术室环境设计，抗干扰能力强
- 一次性使用，避免交叉感染
- 简单易用，快速连接监测设备
应用领域
- 全身麻醉：监测全身麻醉深度，优化用药方案
- 镇静监测：ICU患者镇静水平监测与调控
- 术后恢复：评估术后意识恢复情况
选型指南/使用建议
建议根据手术类型选择4导联或3导联版本，确保电极正确贴附于FPz、T1/T2及参考电极位置。产品为一次性使用，避免重复使用造成交叉感染。适用于手术室、ICU等医疗环境，建议配合BIS监测设备使用。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| 电极数量 | 4 导联（默认）或 3 导联（简化版） |
| 交流阻抗 | ≤1.2KΩ（10HZ） |
| 模拟除颤后交流阻抗 | ≤1KΩ（10HZ） |
| 模拟除颤过载恢复性能 | 放电后第 55 电极对电压值 ≤100mV；此后 30s 平均变化率 ≤±1mV/s |
| 直流失调电压 | ≤100mV |
| 采样频率 | 128Hz~256Hz |
| 频率响应 | 0.5Hz~50Hz（EEG 频带） |
| 电极位置 | 前额（FPz）、额部（T1/T2）、参考电极 |
| 信号类型 | 脑电图（EEG）+肌电（EMG） |
| 输入阻抗 | ≥10MΩ |
| 偏执电流耐受度 | ≤70mV |
| 共模抑制比（CMRR） | ≥100dB |
温馨提示
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