产品概述
DGF15F65T7 是一款 650V、13A IGBT，采用 TO-220F 封装，典型集电极-发射极饱和压降 1.5V，专为高效、高可靠性功率变换系统设计，适用于 变频器、伺服驱动、电机驱动 等应用。
核心特点/优势
- 650V 高耐压与 13A 集电极电流能力
- 典型 VCE(sat) 为 1.5V，兼顾导通损耗与系统效率
- 高可靠性功率开关性能，适用于高频功率变换
- 内置 FRD，简化系统设计
- TO-220F 封装，便于散热和可靠装配
应用领域
- 变频器
- 伺服驱动
- 电机驱动
选型指南/使用建议
建议结合母线电压、开关频率及散热条件进行选型；采购前请核对最新规格书参数；系统设计中请配置过压、过流及防静电保护措施。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| Total Switching Energy 150°C | 1.06mJ |
| Turn-Off Energy 150°C | 0.29mJ |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5V |
| Diode Peak Reverse Recovery Current | 16.5A |
| Diode Reverse Recovery Time | 108ns |
| Turn-On Energy 25°C | 0.41mJ |
| Diode Forward Voltage 25°C | 1.4 ~ 1.7V |
| Gate-Emitter Leakage Current | 250nA |
| Collector-Emitter Leakage Current 25°C | 25μA |
| Diode Forward Voltage 175°C | 1.2V |
| Reverse Transfer Capacitance | 12pF |
| Rise Time 25°C | 9ns |
| Collector-Emitter Leakage Current 175°C | 2000μA |
| Gate Charge | 65nC |
| Turn-Off Delay Time 25°C | 77ns |
| Total Switching Energy 25°C | 0.60mJ |
| Diode Thermal Resistance Junction to Case | 5.4°C/W |
| Thermal Resistance Junction to Case | 3.0°C/W |
| 用途：传感器封装 | TO-220F |
| Input Capacitance | 767pF |
| Thermal Resistance Junction to Ambient | 65°C/W |
| 栅极阈值电压 | 4.0 ~ 5.6V |
| Turn-Off Delay Time 150°C | 82ns |
| Turn-Off Energy 25°C | 0.19mJ |
| Fall Time 25°C | 75ns |
| Turn-On Energy 150°C | 0.77mJ |
| Diode Reverse Recover Charge | 0.75μC |
| Output Capacitance | 26pF |
| Turn-On Delay Time 25°C | 10ns |
| Fall Time 150°C | 129ns |
| Turn-On Delay Time 150°C | 9ns |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 650V |
| Rise Time 150°C | 11ns |
温馨提示
若上述内容存在差异，请以产品手册为准。
如需获取样品、技术支持或完整规格书，请点击联系销售。
声明：本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题，请联系本网处理，侵权内容将在一周内下架整改。
