产品概述
泰科电子(TE Connectivity)压力传感器芯体是一款高精度、高可靠性的压力敏感元件。该产品基于先进的压阻式传感技术,能够将外部介质压力直接转换为标准的电信号输出。其核心功能是实现压力的精确测量与实时监测,具备响应速度快、长期稳定性高、抗电磁干扰能力强等特点。该芯体专为集成到各类压力变送器或测量仪表中设计,广泛应用于工业自动化控制、医疗设备、汽车电子、航空航天、能源化工及环境监测等领域,为高端压力监测场景提供坚实的基础传感核心。
核心特点/优势
- 高精度与高稳定性:典型电桥输出100mV,长期稳定性高达±0.10%/年,重复性与迟滞均低至±0.02% Span。
- 快速响应:响应时间仅0.1ms(10%至90%),满足动态实时监测需求。
- 宽温域与强可靠性:工作温度最高可达125°C,补偿温度范围覆盖-20°C至85°C,过载与爆破压力分别可达额定值3-10倍与4-12倍,保障极端工况安全。
- 低功耗设计:典型供电电流仅1.5mA,输出负载电阻≥5MΩ,适合电池供电或低功耗采集系统。
- 出色抗干扰能力:具备强电磁干扰(EMI)抑制能力,输出噪声低至1.0μV p-p(10Hz至1KHz),保证信号纯净度。
应用领域
- 工业自动化控制
- 医疗设备
- 汽车电子
- 航空航天
- 能源化工
- 环境监测
选型指南/使用建议
安装与操作注意事项: 严禁直接机械接触敏感膜片,膜片表面必须保持无划痕、无凹坑、无指纹等缺陷。非使用时务必佩戴原厂塑料保护帽,防止静电或物理损伤。
包装与存储: 标准包装为防静电塑料管配防静电海绵,膜片处配有保护盖。存储温度范围-50°C至125°C。
应用选型建议: 不同压力量程版本(如≤0.05PSI与≥0.15PSI)的工作温度与补偿范围存在差异,请根据实际工况选择对应型号。标准表压型不推荐用于真空环境,若需用于低于1/2大气压的真空应用,请咨询TE技术支持获取定制方案。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| Pressure Burst | 4X ~ 12X Rated |
| Temperature Error Span | ±1.0% |
| Long Term Stability Offset | ±0.10% Span/Year |
| Output Noise Condition | 10Hz ~ 1KHz |
| Pressure Overload | 3X ~ 10X Rated |
| Response Time Condition | 10% ~ 90% |
| 重复性 | ±0.02% |
| 响应时间 | 0.1ms |
| 输入电阻 | 2.0 ~ 6.5KΩ |
| 输出电阻 | 2.0 ~ 7.0KΩ |
| 爆裂压力 | 4X ~ 12X Rated |
| 供电电流 | 0.5 ~ 2.0mA |
| Zero Pressure Output | -2.0 ~ 2.0mV |
| 储存温度 | -50 ~ 125℃ |
| 工作温度 | -40 ~ 125℃ |
| Pinout | 6Pin (+OUT/-EX/+EX/-OUT/GAINx2) |
| Compensated Temperature | -20 ~ 85℃ |
| Load Resistance | ≥5MΩ |
| Long Term Stability Span | ±0.10% Span/Year |
| Thermal Hysteresis Span | ±0.05% |
| Span | 50 ~ 150mV |
| Insulation Resistance Test Voltage | 50Vdc |
| Pressure Non Linearity | ±0.10% |
| Current Consumption | 1.5mA |
| Compatible Media | Liquids and Gases compatible with 316/316L Stainless Steel |
| 绝缘电阻 | ≥50MΩ |
| Media Pressure Port | Liquids and Gases compatible with 316/316L Stainless Steel |
| Output Noise | 1.0μV p-p |
| 线性度 | ±0.10% ~ ±0.30% |
| Pressure Hysteresis | ±0.02% |
| Temperature Error Offset | ±1.0% |
| Overpressure | 3X ~ 10X Rated |
| Thermal Hysteresis Offset | ±0.05% |
| Output Load Resistance | ≥5MΩ |
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