产品详细信息
RTP 系列霍尔效应旋转位置传感器能够在恶劣的交通运输和工业应用领域执行非接触式传感，且成本具有竞争优势。
这些产品可以将磁体与传感器机身分离开，从而将非接触式传感推至新的水平。不使用执行器转轴，可有效消除径向力对轴承的磨损和损耗。有裸磁体或封闭磁体两种选项可供选择。
这类产品使用了带磁性偏置的霍尔效应集成电路 (IC) 在设定的工作范围内检测执行器的旋转运动。执行器的旋转会改变磁体与集成电路之间的相对位置。由此所致的磁通量密度变化会转化为线性输出。
集成电路、调理及保护电路会密封在一个符合 IP69K 标准材料的坚固封装里，即便在最为恶劣的环境中也经久耐用。
九种工作范围（从 50° 至 360°）均可耐受超行程，可以在绝大多数常见应用中使用。低压版和高压版涵盖的输入电压范围为 4.5 Vdc 至 30 Vdc。
霍尼韦尔在研发领域行业领先的实力为客户提供出色的品质和支持。
技术参数
| 规格项 | 参数值 |
|---|---|
| EMC | 高于 CE 要求 |
| 电源电压 | 低电压：;高电压;10 Vdc 至 30 Vdc;5 Vdc |
| 密封 | IP69K |
| 反极保护 | -10 Vdc;-30 Vdc |
| 电流消耗 | 正常情况下的最大是 20 mA；在输出到接地短路期间，最大是 25 mA;正常情况下的最大是 32 mA；在输出到接地短路期间，最大是 47 mA |
| 寿命 | 无限旋转 |
| 工作范围 | 90° (±45°);50° (±25°);350° (±175°);120° (±60°);60° (±30°);70° (±35°);360° (±180°);270° (±135°) |
| EMI | 辐射抗扰：100 V/m，从 200 MHz 至 1000 MHz，符合 ISO11452-2 标准；抗传导干扰性：100 mA BCI，符合 ISO11452-4 标准，从 1 MHz 至 200 MHz;辐射抗扰：100 V/m，从 200 MHz 至 1000 MHz，符合 ISO11452-2 标准；抗传导干扰性：100 mA BCI，符合 ISO11452-4 标准，从 1 MHz 至 400 MHz |
| 输出类型 | 单一 |
| 工作温度 | -40°C 至 125°C [-40°F 至 257°F] |
| 端子 | AMP 超级密封连接器 |
| 引出线类型 | 欧洲;北美 |
| 系列名称 | RTP |
| 输出信号 | 标准：0.5 Vdc（左）、4.5 Vdc（右），成比例;标准：0.5 Vdc（左）、4.5 Vdc（右），不成比例 |
| 输出信号延迟 | 典型值 4 ms |
| 精度 | ±2.0% |
| 安装孔 | 圆 |
