本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；

主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中，如CATV视频放大器、无线收发模块、各类远距离遥控器、安防报警器、模拟数字无绳电话等产品中，适合中功率高频信号放大；

集电极-发射极击穿电压：BVCEO=15V，最大集电极电流：ICM=100mA,集电极耗散功率：PC=1000mW，特征频率：fT=8.5GHz；

封装形式：SOT89,本体印字(Marking)：S58。