MEMS 环行器

品牌 MTMicrosystems 美泰科技

分类 环行器

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产品概述

MTMicrosystems 美泰科技推出的 MEMS 环行器是全球首款采用高精度微纳立体加工、图像封装、TSV(硅通孔)MEMS 技术制造的新一代环形器。产品频率覆盖范围高达 40GHz,具备高功率容量、超小损耗、全屏蔽、抗干扰等卓越微波性能,适用于雷达、航天航空和微波通信等高端领域。

核心特点/优势

  • 采用 MEMS 工艺,精度高,一致性好
  • 频率覆盖范围广,最高可达 40GHz
  • 插入损耗低至 0.5dB,隔离度高达 20dB
  • 高功率容量,支持 10W 功率
  • 超小体积,便于集成
  • 全屏蔽结构,抗干扰能力强
  • 支持定制化设计,满足不同应用场景需求

应用领域

  • 雷达系统
  • 航天航空通信
  • 微波通信设备

选型指南/使用建议

1. 使用宽度 ≤150μm 金带压接,或 25μm~50μm 金丝键合连接,键合引线数量不少于 2 根,连线尽量短。

2. 采用低温装架工艺(不超过 150℃)安装,芯片下表面使用适量低应力导电胶粘接,确保导电胶均匀,以提供良好接地。

3. 外形结构以产品实际为准,可定制。

4. 产品型号命名方式为 SiCRxxRxx/xxRxx,其中 xxRxx 表示通带频率范围。

序号 型号 通带频率(GHz) 插入损耗(dB) 隔离(dB) 驻波 功率(w) 外形
1 SiCR14R5/17 14.5-17 0.5 20 1.3 10 3
2 SiCR19R5/22 19.5-22 0.6 20 1.3 10 3
3 SiCR25/28 25-28 0.5 20 1.3 10 1
4 SiCR25/31 25-31 0.6 15 1.35 10 1
5 SiCR27/29 27-29 0.5 20 1.3 10 1
6 SiCR31/33 31-33 0.5 20 1.25 10 1
7 SiCR32/34 32-34 0.5 20 1.25 10 1
8 SiCR32/35 32-35 0.6 18 1.3 10 2
9 SiCR33/34R5 33-34.5 0.5 20 1.3 10 2
10 SiCR32/36 32-36 0.5 18 1.3 10 1
11 SiCR33/36 33-36 0.6 18 1.3 10 2
12 SiCR34/36 34-36 0.5 20 1.25 10 1
13 SiCR33/37 33-37 0.5 18 1.3 10 1
14 SiCR32/38 32-38 0.7 15 1.4 10 1

技术参数

规格项参数值
驻波比1.25~1.4
频率范围12~40GHz
装配方式金带压接或金丝键合,低温装架工艺(≤150℃)
封装形式微带/共面波导输出,引线键合使用
工作温度范围-55~+85℃
插入损耗0.5~0.7dB
贮存温度范围-55~+125℃
功率容量10W
外形尺寸4mm×4mm×3mm 至 5.5mm×5.5mm×2.5mm
隔离度15~20dB
温馨提示

若上述内容存在差异,请以产品手册为准。

如需获取样品、技术支持或完整规格书,请点击联系销售。

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