SGT75T65SDM1P4绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
主要特点
75A,650V,VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=75A
低导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
SGT75T65SDM1P4绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
主要特点
75A,650V,VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=75A
低导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
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