SVF28N50PN 是 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子的F-Cell^TM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

主要特点

• 28A，500V，R_{DS(on)(典型值)}=0.15W@V_GS=10V

• 低栅极电荷量

• 低反向传输电容

• 开关速度快

• 提升了dv/dt能力

• 100%雪崩测试

• 无铅管脚镀层

• 符合RoHS环保标准