SVG10170ND(T)

品牌 Silan 士兰微

分类 低压MOS功率管

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SVG10170ND(T)   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

主要特点

  • 60A，100V，RDS(on)(典型值)=13mΩ@VGS=10V

  • 低栅极电荷

  • 低反向传输电容

  • 开关速度快

  • 提升了dv/dt 能力    

  • 100%雪崩测试

  • 无铅管脚镀层

  • 符合RoHS环保标准



封装外形图

TO-252-2L

TO-220-3L

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