3VD768600SPYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；
采用士兰DPMOS工艺平台制造；
较低的导通电阻；
较低的传导损耗和开关损耗；
开关速度快；
封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，照明等领域。
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3VD768600SPYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；
采用士兰DPMOS工艺平台制造；
较低的导通电阻；
较低的传导损耗和开关损耗；
开关速度快；
封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，照明等领域。
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