3VD623500NEYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型500V高压MOS功率场效应晶体管；
先进的高压分压终止环结构；
较高的雪崩能量；
漏源二极管恢复时间快；
该芯片可采用TO-3P型式封装，典型的成品规格为25NE50；
封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
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3VD623500NEYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型500V高压MOS功率场效应晶体管；
先进的高压分压终止环结构；
较高的雪崩能量；
漏源二极管恢复时间快；
该芯片可采用TO-3P型式封装，典型的成品规格为25NE50；
封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
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