3VD579200YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管；
较高的雪崩击穿耐量；
优越的开关性能；
该芯片可采用TO-220形式封装，典型的成品规格为SVD260；
封装后的成品广泛应用于功率电源，电源逆变器。
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3VD579200YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管；
较高的雪崩击穿耐量；
优越的开关性能；
该芯片可采用TO-220形式封装，典型的成品规格为SVD260；
封装后的成品广泛应用于功率电源，电源逆变器。
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