3VD533650YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型650V高压MOS功率场效应晶体管；
先进的高压分压终止环结构；
较高的雪崩能量；
该芯片可采用TO-220封装，典型的成品规格为18N65；
封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
- 产品详情
- 附件下载
3VD533650YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型650V高压MOS功率场效应晶体管；
先进的高压分压终止环结构；
较高的雪崩能量；
该芯片可采用TO-220封装，典型的成品规格为18N65；
封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
1.点击右上角
2.分享到“朋友圈”或“发送给好友”
