2ES050030P1(P)JL是利用硅外延工艺生产的小功率静电保护二极管芯片，适合于塑封；
2ES050030P1JL为N型衬底，2ES050030P1PJL为P型衬底；
优越的电压箝位能力；
快速的响应速度；
漏电流小；
ESD>15KV(空气模式和接触模式)。
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2ES050030P1(P)JL是利用硅外延工艺生产的小功率静电保护二极管芯片，适合于塑封；
2ES050030P1JL为N型衬底，2ES050030P1PJL为P型衬底；
优越的电压箝位能力；
快速的响应速度；
漏电流小；
ESD>15KV(空气模式和接触模式)。
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