3GT645120TFYL是采用士兰微电子槽栅IGBT工艺技术制造的用于塑封的绝缘栅双极型晶体管;
采用场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的饱和压降和开关损耗;
正面电极材料为铝，背面电极材料为铝、钛、镍、银；
该产品主要应用于逆变器，UPS以及焊接等领域。
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3GT645120TFYL是采用士兰微电子槽栅IGBT工艺技术制造的用于塑封的绝缘栅双极型晶体管;
采用场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的饱和压降和开关损耗;
正面电极材料为铝，背面电极材料为铝、钛、镍、银；
该产品主要应用于逆变器，UPS以及焊接等领域。
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