SGM950PB8B3TFM

品牌 Silan 士兰微

分类 950A/750V IGBT模块

  • 产品详情
  • 附件下载

SGM950PB8B3TFM是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术开发的六单元拓扑模块。该模块适用于混动和纯电动汽车等应用领域，具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级，为严苛环境条件下的逆变器运行，提供更可靠的保障。

主要特点

  •  基于精细沟槽的FS-V技术，阻断电压达750V

  • 低VCE(sat) 同时具备正温度系数

  • 低开关损耗

  • 低Qg和Cres

  • 采用导热性优良的DBC

  • 每相内置NTC

  • 直接水冷基板，低热阻

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装备注
SGM950PB8B3TFMB3SGM950PB8B3TFM/纸箱

内部框图


封装外形图

B3

温馨提示

若上述内容存在差异，请以产品手册为准。

如需获取样品、技术支持或完整规格书，请点击联系销售。

声明：本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题，请联系本网处理，侵权内容将在一周内下架整改。

分享
收藏
拨打电话
立即沟通

1.点击右上角

2.分享到“朋友圈”或“发送给好友”

×

微信扫一扫，分享到朋友圈

推荐使用浏览器内置分享功能

  • #{subject}
    #{size}
    下载