概述

ES1212C是一个单片集成的 MR 磁传感器 IC，芯片内部包含了片上磁阻传感器单元 （MR sensor element ），振荡器，比较器，CMOS 输出模式耗。该芯片通过与磁铁结合使用而成为了一种非接触式的低功耗、高灵敏度、高稳

定性的低功耗磁传感器元器件。 当外加磁场方向与封装好的 IC 电路平行时就能被检测，在输出端产生电平信号，且不分磁铁的极性。

ES1212C提供 SOT23-3L 封装，其正常工作温度范围为 40~125。

主要特点

• CMOS +MR 结构

• 低电流功耗: 0.5 u A ( VIN=3.3V, Ta=25 ℃)

• 高灵敏度 :15 Gs 约 1.5mT

• 工作电压范围 : 1.6V-5.5 V

• 磁力检测周期 :25 ms, 检测时间 30μs

• 检测磁极 全 极性，CMOS 模式输出

• 检测磁场方向 与 IC 平行

• IC 封装 SOT23-3L

• ESD (HBM) 4kV

应用范围

• 检测开关：翻盖 滑盖类手机、电脑产品，洗衣机，电冰箱，数码相机

• 检测位置：汽缸，防盗门窗，数码门锁

• 检测旋转：水表，煤气表，电表，速度计

• 供电开关：无线电话，照明电灯