作为磁通门磁强计的改进，直流毫高斯磁强计测量的磁场（技术上称为磁通密度）是地球磁场强度的几倍。它的分辨率为0.01毫高斯（1纳米），范围为正负2000毫高斯（200微特斯拉）。与未补偿磁通门磁强计相比，该磁阻传感器在成本和稳定性方面都有重大改进。实际上，这种传感器在温度稳定性方面接近质子进动磁强计。然而，在只有1毫米x 0.2毫米的情况下，有源传感器的面积远小于磁通门磁强计或质子传感器。这允许在小面积（如薄膜）或高梯度（如有必要）进行非常精确的磁性测量。

技术参数