业界先进的设计方法学• 覆盖多项先进工艺制程：16nm、14nm、12nm、7nm、５nm等先进工艺节点；• 侧重高性能、低功耗、高能效不同的PPA要求设计；• 针对Mobile、IoT、AI、Automotive 等不同领域的完整方法学；专业的项目管理和设计服务的工程师团队• 拥有超过平均10年工作经验的专业资深设计服务团队；• 亚太重要客户的先进工艺量产项目经验，包括7nm、5nm等；• CPU/GPU hardning

发展历程2024.08 凌烟阁Magpie-G1在积塔40nm验证成功2024.03 发布三款AI-PC:玄冥、鸿钧、凌霄2023 .12 通过IS0 26262:2018汽车功能安全ASILD流程认证 2023 .10 6nm 国产CPU流片2022.12 与珠海澳大科技研究院成立智慧城市暨生物医疗联合实验室2022.09 自研车用MCU参考设计平台40nm测试芯片成功点亮2022.06 协助客户完成 12nm Al SoC开发流片并点亮2021.09 协助客户完成高效算力7nm芯片流片并量产2021.03 完成首单客户高效算力芯片IP开发并流片2020.06 珠海凌烟阁芯片科技于横琴注册成立2018 ，亦可由电路设计视角出发优化工艺的性能和效率，芯片设计者虽然可植入特殊电路以获取更多工艺相关的动态数据做为芯片效能的分析数据，而对于这些数据，传统的分析方法是使用制表软件与公式进行计算或绘图，严重依赖测试者的经验 凌烟阁的TOF系列产品，主要采用的是基于850nm或940nm波长的红外激光作为发射源，一方面兼顾人眼安全，另一方面将环境可见光对于光波的干扰降到最低。

更名 紫光得瑞，DERA NVMe SSDD5000 系列量产2018年：与 A 公司合作开发Open-channel SSDD5437/D5457量产2019年：第二代 MENG 控制器流片，28nm 工艺2020年：国家高新技术企业，DERA NVMe SSD；D5427/D5447 发布2021年；DERA NVMe SSDD6437/D6457 系列发标2022年：第三代主控EMEI流片:DERA EMEI 采用12nm工艺技术设计，进一步降低芯片面积和功耗。 40bit DDR 控制器，带 ECC 保护；最大 DRAM 容量 16GB支持 AES 硬件加密，支持国密 SM2/SM3/SM4SPI NOR (带 ECC)，及多种通用接口：5路 UART、2路12C 40bit DDR 控制器，带 ECC 保护，支持 DDR3L 1333 MT/s；最大 DRAM 容量16GB支持 AES256 硬件加密SPI NOR (带 ECC)，及多种通用接口：5路 UART、2路12C