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联芯集成联芯集成电路制造公司于2014年底开始筹建，2015年3月26日奠基动工，2016年第4季起进入量产，已可提供 40nm及28nm 的晶圆专工服务，规划月产能为 5 万片 12 吋晶圆，预计总投资金额达
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Latitude （LDA） 逍遥科技在众多晶圆代工厂中，特色工艺作为主流工艺平台之一，与先进工艺（<28nm）和成熟工艺（≥28nm）齐头并进。
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迪思微电子无锡迪思微电子有限公司（以下简称“无锡迪思”）高端掩模项目完成关键设备安装调试，产线顺利贯通，并于7月12日完成首套90nm高端掩模产品的生产与交付，标志着无锡迪思技术能力实现新跨越，向成为中国大陆技术 2024年下半年无锡迪思将聚焦90nm制程量产，2025年完成40nm量产，2026年实现28nm升级，持续增强核心竞争力。 项目达产后，将新增90nm-28nm高端掩模版产能2000片/月，总产能达5000片/月。 在“迪思高端掩模通线暨首套90nm产品成功交付”仪式上，无锡迪思总经理吕健表示，“掩模版制造是半导体产业链的关键环节，是连接芯片设计和制造的纽带，中高端半导体掩模国产化率低，成长空间大，推进高端掩模项目建设有利于充分发挥
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Kingsemi 芯源微电子上海芯源微主要开展28nm及以下高端工艺技术节点的集成电路光刻工艺涂胶显影设备、化学清洗设备及其核心零部件研发及产业化，打造更高技术节点半导体设备，更好服务前道用户。
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IPGOAL 和芯微电子公司与主要的晶圆代工厂在22nm/28nm/40nm/55nm/65nm/90nm/0.13μm/0.18μm等关键工艺开展合作，为客户提供经过批量生产验证或硅验证的IP产品，并可根据客户要求进行量身定制
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池州华宇在测试领域形成了多项自主核心技术，测试晶圆的尺寸覆盖12吋、8吋、6吋、5吋、4吋等多种尺寸，包含22nm、28nm及以上晶圆制程；芯片成品测试方面，公司已累计研发出MCU芯片、ADC芯片、FPGA芯片
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AR TOUCH 隔空科技无线射频技术掌握了110nm/40nm/28nm/22nm RFCMOS射频与混合集成电路设计能力。
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驰拓科技公司拥有先进的新型存储芯片研发与产业化平台，掌握了MRAM设计、制造全套关键技术，成功开发独立式存储芯片和嵌入式IP等系列产品并可提供90/40/28nm多个先进工艺节点下的芯片设计、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务 业界普遍认为，28/22纳米将是eFlash具有成本效益的最后一个工艺节点，因此开始持续研发新型嵌入式非易失存储技术，如eMRAM和eRRAM等。 新型嵌入式非易失存储技术一般基于逻辑工艺的互联层（BEOL），具备良好的前后段兼容性，可延展至28纳米及更先进工艺节点，且性能更具有竞争力，如下图。 同时HIKSTOR eMRAM与逻辑工艺有着优良的兼容性，可延展至28纳米及以下先进工艺节点，且额外光罩数量仅3~5层。
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Leadmicro 微导科技在此基础上，公司继续深化开发对技术水平和工艺要求更高的半导体薄膜沉积设备，是国内首家成功将量产型High-k 原子层沉积设备应用于28nm 节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司，设备总体表现和工艺关键性能参数达到国际同类水平
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ACM Research 盛美半导体盛美上海立足自主创新，通过多年的技术研发和工艺积累，成功研发出全球首创的 SAPS/TEBO 兆声波清洗技术和 Tahoe 单片槽式组合清洗技术，应用于 28nm及以下技术节点的晶圆清洗领域。
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2022年聚焦十二英寸产能扩充，预估成熟制程产能年增20%2022-06-23
