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联芯集成联芯集成电路制造公司于2014年底开始筹建，2015年3月26日奠基动工，2016年第4季起进入量产，已可提供 40nm及28nm 的晶圆专工服务，规划月产能为 5 万片 12 吋晶圆，预计总投资金额达 公司座落于厦门翔安，拥有优良的地理和环境优势，加上母公司台湾联电的技术支持，提供客户在中国制造芯片的选择，同时贴近国内市场，以满足更多本地IC设计业者的需求。
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Latitude （LDA） 逍遥科技公司拥有在微纳光子/硅基光电子、第三代半导体等前沿技术的深度积累，与国内多家高校开展产学研深度合作。 逍遥科技致力于为“特色工艺”半导体芯片设计提供自动化解决方案。 在众多晶圆代工厂中，特色工艺作为主流工艺平台之一，与先进工艺（<28nm）和成熟工艺（≥28nm）齐头并进。 我们的解决方案已被光通讯、光运算、微纳光子等领域的领军企业所采用，凭借先进的技术和优质的技术服务赢得了客户的高度评价。
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迪思微电子无锡迪思微电子有限公司（以下简称“无锡迪思”）高端掩模项目完成关键设备安装调试，产线顺利贯通，并于7月12日完成首套90nm高端掩模产品的生产与交付，标志着无锡迪思技术能力实现新跨越，向成为中国大陆技术 2024年下半年无锡迪思将聚焦90nm制程量产，2025年完成40nm量产，2026年实现28nm升级，持续增强核心竞争力。 项目达产后，将新增90nm-28nm高端掩模版产能2000片/月，总产能达5000片/月。 在“迪思高端掩模通线暨首套90nm产品成功交付”仪式上，无锡迪思总经理吕健表示，“掩模版制造是半导体产业链的关键环节，是连接芯片设计和制造的纽带，中高端半导体掩模国产化率低，成长空间大，推进高端掩模项目建设有利于充分发挥 无锡迪思拥有国内领先的光掩模制造设备、技术工艺、质量控制和信息安全保护措施，业务覆盖国内主流12吋、8吋、6吋线，是众多晶圆厂及设计公司的首选合作伙伴。
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Kingsemi 芯源微电子沈阳芯源微电子设备股份有限公司 成立于2002年，是由中科院沈阳自动化研究所发起创建的国家高新技术企业，专业从事半导体生产设备的研发、生产、销售与服务，致力于为客户提供半导体装备与工艺整体解决方案。 上海芯源微主要开展28nm及以下高端工艺技术节点的集成电路光刻工艺涂胶显影设备、化学清洗设备及其核心零部件研发及产业化，打造更高技术节点半导体设备，更好服务前道用户。
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IPGOAL 和芯微电子公司拥有多项核心技术，自主研发并投放市场8大类100多种型号的不同工艺厂和工艺节点的硅验证IP产品，申报专利400多项，其中包括85项美国专利，在2018年四川专利创新百强榜中名列前茅。 公司的核心技术是高速串行接口技术、音频编解码（Audio Codec）技术和高速AD-DA转换技术。 高速串行接口技术提供高达12.5Gbps的速度，涵盖USB3.0、SATA、PCIe 和Rapid IO等技术，音频编解码可提供16位至24位高精度音频转换，高速AD提供位宽10bit/12bit，采样速率可达 公司与主要的晶圆代工厂在22nm/28nm/40nm/55nm/65nm/90nm/0.13μm/0.18μm等关键工艺开展合作，为客户提供经过批量生产验证或硅验证的IP产品，并可根据客户要求进行量身定制 技术团队和芯微电子（IPGoal）目前拥有员工超过200人， 研发人员有166人，其中有68人是拥有10年以上工作经验的工程师，参与过上百个的IP定制/SoC设计项目。
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池州华宇在封装领域具有多芯片组件（MCM）封装、三维（3D）叠芯封装、微型化扁平无引脚（QFN/DFN）封装、高密度微间距集成电路封装等核心技术。 在测试领域形成了多项自主核心技术，测试晶圆的尺寸覆盖12吋、8吋、6吋、5吋、4吋等多种尺寸，包含22nm、28nm及以上晶圆制程；芯片成品测试方面，公司已累计研发出MCU芯片、ADC芯片、FPGA芯片 公司总部位于安徽省池州市，是我国生态经济示范区，北临长江黄金水道，东向三十公里毗邻四大佛教名山之九华山，境内机场、高铁、高速、水运四通八达，交通便利，环境优美，在深圳、无锡、合肥设立研发、制造子公司，为全球客户提供紧密技术服务与高效的产业链支持 池州华宇电子是国家高新技术企业，工信部专精特新“小巨人”企业，建设有“博士后科研工作站”和“安徽省专用芯片系统级封装工程研究中心”、“安徽省企业技术中心”、“安徽省工业设计中心”省级技术平台。 先后荣获“安徽省技术创新示范企业”、“安徽省专精特新冠军企业”等荣誉。
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Sanechips 中兴微电子深圳市中兴微电子技术有限公司（以下简称“中兴微电子”）于2003年注册成立，是中兴通讯的控股子公司，其前身为创立于1996年的中兴通讯IC设计部。 SOC架构设计能力SOC快速设计平台：芯片架构实现、设计自动化、接口标准化，设计周期达到业界先进水平；在低功耗技术、先进工艺和封装测试技术上具有平台优势。 主要产品手机产品手机modem芯片X7520V3系列LTE多模基带芯片，28nm工艺，支持丰富接口，具有高性能、低功耗、低成本、高可靠的优势，可以广泛应用于全球移动通信市场，已在全球70多个国家的运营商商用发货 以太网互联芯片中兴微电子10BASE-T/100BASE-TX/1000BASE-T以太网收发器，采用过采样技术和最新的数字信号处理技术，具有业界最小的面积和最低的功耗。 芯片采用最新40nm和28nm工艺，完全兼容IEEE802.3/802.3u/802.3ab协议，支持EEE功能，支持低功耗模式，支持RGMII/QSGMII接口，已经应用于电信、联通、移动等FTTx网络的
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AIR TOUCH 隔空科技作为全球领先的智能传感器芯片专家，隔空(上海)智能科技有限公司 专注于⾼性能⽆线射频技术、微波毫⽶波技术、雷达传感器技术、 低功耗MCU技术及SoC技术，定义并研发世界领先的“Me First” 芯⽚产品 公司凝聚了资深技术专家、运营管理人士，具备优秀的射频/模拟IC、低功耗SoC、算法软件等关键技术研发能力,以及多达数亿颗射频SoC芯片的量产经验；公司秉承严格的供应商选择和供应链管理，品质管理贯彻整个产品研发周期 无线射频技术掌握了110nm/40nm/28nm/22nm RFCMOS射频与混合集成电路设计能力。 微波毫米波技术掌握了5.8GHz、10.525GHZ、24GHZ、60GHZ、77GHz系列雷达传感芯片技术。低功耗MCU技术采用低功耗电路架构，高集成信号算法支持宽电压供申。 智能化技术边缘计算，丰富人工智能算法，对周围信号进行感知学习。研发实力汇聚了来自清华、海思、RDA等的具备丰富经验的技术专家。
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驰拓科技公司拥有先进的新型存储芯片研发与产业化平台，掌握了MRAM设计、制造全套关键技术，成功开发独立式存储芯片和嵌入式IP等系列产品并可提供90/40/28nm多个先进工艺节点下的芯片设计、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务 eMRAM 技术简介半导体技术的发展历程可以追溯到上世纪40年代，自晶体管发明以来，集成电路的特征尺寸已经从微米级别进入纳米级别。 业界普遍认为，28/22纳米将是eFlash具有成本效益的最后一个工艺节点，因此开始持续研发新型嵌入式非易失存储技术，如eMRAM和eRRAM等。 新型嵌入式非易失存储技术一般基于逻辑工艺的互联层（BEOL），具备良好的前后段兼容性，可延展至28纳米及更先进工艺节点，且性能更具有竞争力，如下图。 同时HIKSTOR eMRAM与逻辑工艺有着优良的兼容性，可延展至28纳米及以下先进工艺节点，且额外光罩数量仅3~5层。
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Leadmicro 微导科技公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，CVD等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与应用。 自成立以来，公司通过不断吸纳国内外优秀人才和保持高水平研发投入，已在微米级、纳米级薄膜沉积核心技术领域具有丰富的技术积累。 在此基础上，公司继续深化开发对技术水平和工艺要求更高的半导体薄膜沉积设备，是国内首家成功将量产型High-k 原子层沉积设备应用于28nm 节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司，设备总体表现和工艺关键性能参数达到国际同类水平 公司也是国内少数能在短期内快速反馈并协助客户解决产线上技术问题的专用设备厂商之一，具备承担下一代光伏电池设备和半导体设备研发及产业化项目的技术储备和人才基础。 公司将持续围绕市场需求，深化自主创新，加快核心技术攻关，进一步拓展薄膜沉积技术的应用领域，推动高端技术装备的国产化、产业化，力争成为世界级的微纳制造装备领军企业。
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英飞凌推出全新的TEGRION™系列安全控制器2023-08-24
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鸿海与Vedanta在印度合建的晶圆厂将在Q4动工2023-05-15
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鸿海Vedanta在印度合建晶圆厂 Q4动工、采用28nm2023-05-11
