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严选28nm制程厂家，提供从28nm制程设计、研发、生产制造深耕产品，打造值得信赖的传感器品牌，解决选品、技术支持问题，实现采购放心、售后无忧。
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迪思微电子无锡迪思微电子有限公司（以下简称“无锡迪思”）高端掩模项目完成关键设备安装调试，产线顺利贯通，并于7月12日完成首套90nm高端掩模产品的生产与交付，标志着无锡迪思技术能力实现新跨越，向成为中国大陆技术 2024年下半年无锡迪思将聚焦90nm制程量产，2025年完成40nm量产，2026年实现28nm升级，持续增强核心竞争力。 项目达产后，将新增90nm-28nm高端掩模版产能2000片/月，总产能达5000片/月。 在“迪思高端掩模通线暨首套90nm产品成功交付”仪式上，无锡迪思总经理吕健表示，“掩模版制造是半导体产业链的关键环节，是连接芯片设计和制造的纽带，中高端半导体掩模国产化率低，成长空间大，推进高端掩模项目建设有利于充分发挥
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池州华宇在测试领域形成了多项自主核心技术，测试晶圆的尺寸覆盖12吋、8吋、6吋、5吋、4吋等多种尺寸，包含22nm、28nm及以上晶圆制程；芯片成品测试方面，公司已累计研发出MCU芯片、ADC芯片、FPGA芯片
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驰拓科技公司拥有先进的新型存储芯片研发与产业化平台，掌握了MRAM设计、制造全套关键技术，成功开发独立式存储芯片和嵌入式IP等系列产品并可提供90/40/28nm多个先进工艺节点下的芯片设计、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务 嵌入式存储是逻辑制程中不可或缺的一环。其中，嵌入式闪存（eFlash）作为一种主流的非易失性嵌入式存储技术，在40纳米及以上的成熟工艺中占据主导地位。 业界普遍认为，28/22纳米将是eFlash具有成本效益的最后一个工艺节点，因此开始持续研发新型嵌入式非易失存储技术，如eMRAM和eRRAM等。 新型嵌入式非易失存储技术一般基于逻辑工艺的互联层（BEOL），具备良好的前后段兼容性，可延展至28纳米及更先进工艺节点，且性能更具有竞争力，如下图。 同时HIKSTOR eMRAM与逻辑工艺有着优良的兼容性，可延展至28纳米及以下先进工艺节点，且额外光罩数量仅3~5层。
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OFILM 欧菲光先进技术长焦微距模组公司与客户联合研发设计,结合欧菲独创制程MGL工艺技术,完成业界首款长焦微距潜望及长焦微距内对焦模组的量产,模组实现10mm-INF的超距离对焦,拍摄特写时冲击力强同时在实现原有拍摄范围下可减少一颗微距镜头 在整体方案搭建上，欧菲光为VGATOF人脸摄像头定制28nm制程专用AI处理器，配备其自主研发的人脸识别算法及活体检测算法，有利于方案在ToF相机输出高品质图像的同时，实现快速人脸识别体验，且功耗续航方面仍可处于较低水平
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