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Unimos 宏茂微宏茂微拥有全系列存储器封测的一站式解决方案，产品覆盖3D NAND（Raw NAND，eMMC，UFS，eMCP）、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存储器产品的封装和测试。 长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。 2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。 2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。 主要产品覆盖3D NAND（Raw NAND，eMMC，UFS，eMCP)、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存储器产品的封装和测试应用领域消费电子、工业控制、物联网设备、汽车电子等领域
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Yangtze Memory 长江存储长江存储科技有限责任公司 成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉， 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。 长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒， 嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心。 致力于成为存储技术的领先者 全球半导体产业的核心价值贡献者2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。 2019年9月，搭载长江存储自主创新 Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。 * 发布之时指2020年4月10日，业界指全球全部3D NAND闪存颗粒原厂，最高的I/O速度指1600MT/s，符合当时ONFI最高标准，最高存储密度指当时业界相同容量的芯片横向对比中长江存储X2-9070
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Core Storage 兆芯电子合肥兆芯电子有限公司 2015年6月成立于安徽省合肥市高新区，主要从事闪存控器与相关、eMMC、SSD固态磁盘等控制芯片与整机系统的设计研发和销售。 2016年11月，发布支持2D NAND SSD方案；2017年7月，发布支持3D NAND eMMC方案和支持3D NAND SATA SSD方案。 杰出的经营策略构成了具竞争力的条件。
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Normem 诺存微电子诺存是全球最早提出3D NOR闪存架构的IC设计公司之一，并已研发成功世界首款3D NOR闪存原型芯片，成本仅为传统平面NOR的1/3，价位可与NAND竞争，同时还保持NOR的代码运行功能；产品可广泛应用于安防 诺存致力于新型高速、高密度NOR闪存芯片的研发，是美光主推高速NOR标准的XccelaTM联盟成员，并于2018年成功推出国内首款高速Octa-SPI含DTR功能的产品，不断提升NOR闪存性能，推动下一代 中期产品：高速高密度, 3D原型芯片研发成功，实现单层成本仅为传统NOR 1/3传统NOR闪存的二维设计已经接近物理上的极限，产品可靠性降低、成本攀升，三维化是技术变革趋势。 公司的世界首款三维高密度NOR闪存原型芯片兼具传统NOR和NAND两者的优势，大幅降低单位制造成本，使价位可与NAND竞争，同时还保持NOR的代码运行功能，低成本高性能。 通信安防：公司存储芯片应用于交换机、路由器、安防监控等领域。物联网：诺存提供低功耗产品，供智能穿戴、IOT产品应用。消费电子：为智能终端、语音玩具、教育工具等提供更佳的存储方案。
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Unim 至讯创新至讯创新科技(无锡)有限公司 和其全资子公司 仲联半导体（上海）有限公司, 是专注于存储产品的半导体芯片设计研发公司。 公司集行业顶尖人才， 专注开发性能优异的存储芯片， 立志成为业界领先的半导体存储芯片公司。公司自主品牌UNIM至讯创新存储器系列产品，定位于消费电子，IOT，监控，网络设备等广泛的应用领域。 产品方案SLC NAND消费级产品产品简介：目前国内最先进2D NAND制程，提供业界最佳成本竞争力，凭借其卓越的成本优势，在满足应用需求条件下帮助客人完成降本增效。 不仅如此，与3D闪存相比，2D MLC NAND在中小容量产品上更有可靠性竞争力，可以为设计带来显著的可靠性优势。 容量： 4GB/8GB接口：ONFI工作电压：3.3V可靠性：数据保持时间10年，编程/擦除周期：3,000次工作温度范围：-40℃~85℃封装：BGA132 （12*18mm）嵌入式解决方案其他解决方案
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YEESTOR 得一微电子得一微电子为行业客户提供存储控制芯片、存储器产品、IP和设计服务在内的一站式存储解决方案，产品覆盖消费级、企业级、工业级、汽车级应用。 主要产品LDPC IP得一微LDPC是业界领先的一种纠错性能算法，可应用于移动端、消费级和企业级SSD控制器市场，支持各种2D/3D，SLC/MLC/TLC/QLC NAND Flash。 符合NVM express 1.4规范（NVMe 2.0 Mandatory），主要面向企业级和消费级SSD市场，该 IP 为存储数据传输协议控制单元，在符合存储协议规范的前提下来实现主机与存储控制芯片之间的数据交互与管理 NFC IP产品概述得一微 NFC(NAND Flash Controller) IP 是一种NAND Flash的控制器，用于从NAND Flash中访问用户数据，为存储颗粒控制和数据读写单元，用于实现存储控制芯片与存储颗粒之间的数据交互与管理 它采用得一微的NVMe 控制器内核和 Alcyone LDPC 纠错内核，可实现支持 1x/1y/1z MLC/TLC 和 3D NAND 的低功耗和经济高效的 SSD 控制器。
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Rayson 晶存科技小巨人”企业晶存具备完整的存储解决方案能力，产品涵盖NAND FLASH控制器芯片eMMC、DDR3/4、LPDDR4/4X、LPDDR5/5X、eMCP、SSD、内存模组等，覆盖消费级、工规级、车规级存储芯片 公司坚持走自主研发路线，持续在NAND Flash控制器技术、FTL管理技术、LDPC纠错技术、低功耗等核心技术领域深入耕耘，提供基于NAND Flash的各类消费类和工规级别的eMMC、UFS、 eMCP 主要产品闪存控制器自主研发eMMC闪存控制器，其具备高性能、高稳定性、低功耗等特性，符合JEDECeMMC V5.1标准协议并向下兼容，支持各种主流 2D/3D SLC/MLC/TLC NAND Flash ，搭载该自研闪存控制器的eMMC产品已通过AEC-Q100车规级存储器认证，消费级嵌入式存储晶存具备完整的存储解决方案能力，推出的消费级嵌入式存储系列芯片涵盖 eMMC、DDR3/4、LPDDR4/4X SSD固态硬盘SSD(固态硬盘)采用NAND闪存，无机械部件，具低功耗、高速读写及卓越耐用性。晶存自产SSD，以最新3D NAND技术，保障产品性能领先，提升竞争力和市场响应速度。
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UnilC 紫光国芯在面向大数据和人工智能等新兴领域，公司采用三维集成技术，实现将逻辑晶圆和DRAM晶圆的异质集成，开发出高带宽、大容量的3D DRAM芯片，及内嵌超高带宽超低功耗DRAM的人工智能（AI）芯片。 公司还在NAND Flash、NOR Flash 和新型存储器RRAM等领域开发有产品，进行了研发布局。紫光国芯同时还拥有数字电路和混合电路专业设计团队，提供基于先进工艺的ASIC设计开发验证服务。 公司在过去几年中成功为客户完成了十余款基于65nm/40nm工艺的SoC芯片设计和流片，帮助客户快速完成芯片设计和测试。 公司也成功提供多款从产品定义开始完成芯片架构设计、电路设计、仿真验证、后端设计、流片、测试验证、量产工程全流程的“交钥匙”芯片开发服务。 主要产品覆盖标准SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和移动用LPDDR、LPDDR2、LPDDR4，其中二十余款产品实现全球量产和销售;存储器模组产品包括服务器内存模组(RDIMM)、笔记本内存模组
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ICYC 意芯半导体公司聚焦Nand Flash芯片设计、封装测试、品牌销售为主的企业，拥有完备的存储算法、固件、硬件和工艺开发团队，核心团队来自于华为、镁光、通富微、兴森快捷等公司的中坚力量，团队具有10年以上的研发及市场经验 为客户提供有竞争力的存储芯片产品。 、至诚守信、团队合作质量方针时刻铭记质量是意芯生存的基石，是客户选择意芯的理由专利证书解决方案3D和高级封装异构集成是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术， 它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。 行业定制行业定制级封装：意芯行业定制级封装采用热固性环氧树脂包覆成型的无源电子元件和芯片D卡。使用热固性环氧树脂封装组件可为在恶劣环境中运行的应用提供良好的保护，以承受极端高温，振动，冲击和潮湿。
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SK海力士在大连建设新的存储晶圆厂2022-05-18
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国产半导体设备公司中微：5nm以下芯片工艺开发中2022-04-25
