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3D NAND

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严选3D NAND厂家,提供从3D NAND设计、研发、生产制造深耕产品,打造值得信赖的传感器品牌,解决选品、技术支持问题,实现采购放心、售后无忧。
  • Unimos 宏茂微

    宏茂微拥有全系列存储器封测的一站式解决方案,产品覆盖3D NAND(Raw NAND,eMMC,UFS,eMCP)、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存储器产品的封装和测试。 长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒,嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。 2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。 2019年9月,搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。 主要产品覆盖3D NAND(Raw NAND,eMMC,UFS,eMCP)、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存储器产品的封装和测试应用领域消费电子、工业控制、物联网设备、汽车电子等领域
  • Yangtze Memory 长江存储

    长江存储科技有限责任公司 成立于2016年7月,总部位于“江城”武汉, 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。 长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒, 嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心。 致力于成为存储技术的领先者 全球半导体产业的核心价值贡献者2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。 2019年9月,搭载长江存储自主创新 Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。 * 发布之时指2020年4月10日,业界指全球全部3D NAND闪存颗粒原厂,最高的I/O速度指1600MT/s,符合当时ONFI最高标准,最高存储密度指当时业界相同容量的芯片横向对比中长江存储X2-9070
  • Core Storage 兆芯电子

    2016年11月,发布支持2D NAND SSD方案;2017年7月,发布支持3D NAND eMMC方案和支持3D NAND SATA SSD方案。 杰出的经营策略构成了具竞争力的条件。
  • Normem 诺存微电子

    诺存是全球最早提出3D NOR闪存架构的IC设计公司之一,并已研发成功世界首款3D NOR闪存原型芯片,成本仅为传统平面NOR的1/3,价位可与NAND竞争,同时还保持NOR的代码运行功能;产品可广泛应用于安防 中期产品:高速高密度, 3D原型芯片研发成功,实现单层成本仅为传统NOR 1/3传统NOR闪存的二维设计已经接近物理上的极限,产品可靠性降低、成本攀升,三维化是技术变革趋势。 公司的世界首款三维高密度NOR闪存原型芯片兼具传统NOR和NAND两者的优势,大幅降低单位制造成本,使价位可与NAND竞争,同时还保持NOR的代码运行功能,低成本高性能。
  • Kioxia 铠侠

    东芝公司于1987年发明了NAND闪存, 2017年4月,铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离,开创了先进的存储解决方案和服务,可丰富人们的生活并扩大社会的视野。 铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™,正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式,其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。 业务概述KIOXIA Group 是 NAND 闪存的最大制造商之一。1987 年,铠侠发明了世界上第一个不需要电源的 NAND 闪存(非易失性存储器)。 我们将继续通过提供 3D 闪存 BiCS FLASH 技术来满足客户的需求,从而提供更大的存储容量和广泛的闪存产品。 SSD (固态硬盘)铠侠的固态硬盘(SSD)产品系列内置BiCS FLASH™ 3D闪存,能为客户端PC、企业级服务器以及存储与云数据中心提供了更为优化的SSD产品与解决方案。
  • Unim 至讯创新

    产品方案SLC NAND消费级产品产品简介:目前国内最先进2D NAND制程,提供业界最佳成本竞争力,凭借其卓越的成本优势,在满足应用需求条件下帮助客人完成降本增效。 SPI工作电压:1.8V / 3.3V可靠性:数据保持时间10年,编程/擦除周期达60000次,内嵌ECC工作温度范围:-20℃~70℃小型化封装:WSON8(6*8)工业级产品产品简介:目前国内最先进2D NAND制程,通过程序优化,提供更好的读写性能和更高可靠性,满足各类高可靠性应用。 不仅如此,与3D闪存相比,2D MLC NAND在中小容量产品上更有可靠性竞争力,可以为设计带来显著的可靠性优势。 容量: 4GB/8GB接口:ONFI工作电压:3.3V可靠性:数据保持时间10年,编程/擦除周期:3,000次工作温度范围:-40℃~85℃封装:BGA132 (12*18mm)嵌入式解决方案其他解决方案
  • YEESTOR 得一微电子

    17年技术积累和业务拓展,得一微电子建立了固态硬盘存储(PCIe/SATA)、嵌入式存储(UFS/eMMC/SPI-NAND)和扩充式存储(USB/SD)的完整存储产品线。 主要产品LDPC IP得一微LDPC是业界领先的一种纠错性能算法,可应用于移动端、消费级和企业级SSD控制器市场,支持各种2D/3D,SLC/MLC/TLC/QLC NAND Flash。 NFC IP产品概述得一微 NFC(NAND Flash Controller) IP 是一种NAND Flash的控制器,用于从NAND Flash中访问用户数据,为存储颗粒控制和数据读写单元,用于实现存储控制芯片与存储颗粒之间的数据交互与管理 得一微NFC IP有许多可配置的特性来支持不同的NAND Flash应用需求,已在USB,eMMC和消费级/企业级SSD上都得到了验证。 它采用得一微的NVMe 控制器内核和 Alcyone LDPC 纠错内核,可实现支持 1x/1y/1z MLC/TLC 和 3D NAND 的低功耗和经济高效的 SSD 控制器。
  • SSSTC (Solid State Storage Technology Corporation)

    SSSTC 的产品线包括 3D TLC 和 MLCC NAND 闪存组件,为世界级网络附加存储 (NAS) 系统、VoIP 媒体网关、自助服务亭、工业自动导引车 (AGV) 路由器、工业 PC、交换机、 该制造商的 CA3 系列 NVMe PCIe SSD 体现了其在数字存储空间开辟新天地的承诺。高性能组件提供每秒高达 380K/260K 输入/输出操作的 4KB 随机读/写性能。 此外,SSSTC 创造了 CA3 系列,并将设计通用性作为优先事项。该产品有 250GB、512GB 和 1TB 系列可供选择,外形尺寸为 80mm x 22mm x 3.65mm,线速为 10GB。 这些特性使 CA3 SSD 适合在线事务处理、SQL 日志记录和企业服务器项目。主要产品固态硬盘闪存 – NAND / NORmSATA
  • Rayson 晶存科技

    FLASH控制器芯片eMMC、DDR3/4、LPDDR4/4X、LPDDR5/5X、eMCP、SSD、内存模组等,覆盖消费级、工规级、车规级存储芯片,广泛应用于智能手机、安卓平板、笔记本电脑、教育电子 公司坚持走自主研发路线,持续在NAND Flash控制器技术、FTL管理技术、LDPC纠错技术、低功耗等核心技术领域深入耕耘,提供基于NAND Flash的各类消费类和工规级别的eMMC、UFS、 eMCP 主要产品闪存控制器自主研发eMMC闪存控制器,其具备高性能、高稳定性、低功耗等特性,符合JEDECeMMC V5.1标准协议并向下兼容,支持各种主流 2D/3D SLC/MLC/TLC NAND Flash ,搭载该自研闪存控制器的eMMC产品已通过AEC-Q100车规级存储器认证,消费级嵌入式存储晶存具备完整的存储解决方案能力,推出的消费级嵌入式存储系列芯片涵盖 eMMC、DDR3/4、LPDDR4/4X SSD固态硬盘SSD(固态硬盘)采用NAND闪存,无机械部件,具低功耗、高速读写及卓越耐用性。晶存自产SSD,以最新3D NAND技术,保障产品性能领先,提升竞争力和市场响应速度。
  • Samsung Semiconductor 三星半导体

    40 纳米级 2Gb DRAM2015 开始量产基于 EUV 的 7 纳米 LPP2016 推出汽车解决方案品牌 Exynos Auto 和 ISOCELL Auto2017 开始量产第 5 代 V-NAND 2010-最近突破极限,改变未来 我们不断突破极限,推动行业变革,现已蓄势待发,准备实现下一次的飞跃2010 32nm高介电金属闸极(HKMG: High-K Metal Gate)工艺研发成功;20nm级NAND 闪存量产;2011 30纳米级4Gb移动DRAM量产;推出品牌应用处理器Exynos;2013 3D垂直NAND(V-NAND)存储器开始量产;推出移动 AP Exynos 5 Octa,内置big.LITTLE
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