公司致力于在新能源汽车、算力、储能、风电、工业驱动等领域，提供高可靠、高性能的分立器件、模块和板级方案，产品包括600v ~ 2000v电压平台的第三代半导体碳化硅 SiC MOSFET 和模块,、硅基超结 SJ MOS的击穿电压范围从600 V到650 V，可提供多种封装选项。 Wafer基于国际先进的超结和碳化硅芯片技术，萃锦半导体已研发超结MOSFET、SiC肖特基二极管和SiC MOSFET芯裸芯片和晶圆。 V内 全 阶 段 适 应 的M O S管 ， 还 可 为600V~800V高压类源的反激辅助供电提供高BV的器件。 我们还专门为快充市场定制了具有更低的Qg值、更快的开关速度、更小的弥勒平台、更小的Ciss和经过优化的非线性Coss.固态断路器萃锦开发的SiC MOSFET 优化了元胞结构，具有导通损耗低，开关损耗小

功率器件亚成微拥有40V-1200V的电压平台，功率器件产品线覆盖600V、650V、700V、800V的高压超结MOSFET，40V-100V的中低压MOSFET，以及平面MOSFET。 消费电子AC-DC电源管理方案快充方案快充电源解决方案快充方案广泛应用在智能手机、笔记本、无人机电源、平板电脑、打印机等Type-C端口设备。 亚成微输出电压为12V的36W、24W、18W、12W系列无Y开关电源应用方案，满足客户在开关电源上的要求，电源符合4KV雷击标准。