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严选800V平台厂家,提供从800V平台设计、研发、生产制造深耕产品,打造值得信赖的传感器品牌,解决选品、技术支持问题,实现采购放心、售后无忧。
  • SAFTTY 安的电子

    经过多年发展,安的掌握了超薄型1.1毫米热保护器、纯温度型热保护器、手动复位型热保护器、超高温250度、耐高电压800V、三相电机保护器、防爆电机热保护器等关键技术,并逐步向上游原材料和关键零部件技术延伸 安的从2014年开始推出可靠性保障六脉神剑,通过客户需求分析、可靠性设计、物料选型与认证、装配可靠性管理、失效分析管理、产品数据平台六个方面提高产品可靠性,多个系列产品失效率控制在20~30ppm(百万分之
  • LEAPSIC 嘉展力芯半导体

    发展历程2022嘉展力芯提出19篇国内专利申请20221200V/40m SiC MOSFET tape-out(下线)2022嘉展力芯提出第15篇美国专利申请20221200V / 10A SiC Shottky 嘉展力芯可根据客户需求设计650V到3300V不同规格的MOSFET及肖特基二级管。 碳化硅功率器件测试实验室产品应用新能源车目前我国已逐步跨入新能源汽车时代,为了满足大输出功率的需求,功率半导体器件材料从硅基IGBT转向碳化硅MOSFET,电压平台从400V升级到800V,搭载的功率半导体器件的需求也大幅提升 其中,碳化硅在800V主电机控制器中应用已是大势所趋充电桩充电桩也有一些新的技术方向,如大功率化(比如30kW及以上)以实现电动车的快速充电,双向充电功能以实现能量的回馈,更高更宽的输出电压范围(比如200V -750V甚至到1000V)以覆盖各种不同新能源车型电池等等,这些新的技术发展方向也给碳化硅半导体提供了巨大的应用机会。
  • Deren Electronic 得润电子

    公司是全球率先推出22kW 800V平台高功率车载充电机的厂商,代表着目前业界的领先水平。凭借技术品质优势与实证经验,拥有全球一线品牌客户资源,并已为国内外知名汽车品牌厂商批量供应车载充电机等产品。 公司是全球率先研制成功并量产的22kW800V平台高功率车载充电机的厂商,主要客户包括保时捷、宝马、戴姆勒-奔驰、大众集团等整车厂商,以及部分一线汽车零部件供应商。
  • SUNGIANT 欣捷安

    存储空间,记录电池剩余容量、剩余循环次数等关键信息,支持电池数字护照,便于电池全生命周期的状态记录和数据追溯;点晶智能电芯传感器构建了单电芯级无线通信能力,可支持超过400个电芯的无线组网,可用于400V/ 800V甚至高电压的电池平台,达到采集零延迟,较低采集线束用量。
  • 华燊泰科技

    开关管即可组成一个方案,有效减少PCB板占板面积和降低主板温度,有效提升功率密度,使得液晶TV获得更轻薄的设计和更低的研发成本应用场景超薄TV氮化镓碳化硅功率器件在高功率高压领域有广泛的潜在应用,目前在600-1700V的光伏逆变 碳化硅1200V MOSFET平台,持续支持电动汽车向800V高压平台的转型。
  • San'an 三安光电

    集成电路化合物半导体研发、制造和服务平台三安光电二十多年化合物半导体产业经验,延伸至微波射频、滤波器、光技术和电力电子领域,一跃成为专注于化合物半导体产业,提供产品和服务最全面的专业平台,获得全球客户的信赖 智能电动出行宽禁带半导体功率芯片,支持电动汽车向高压平台架构的转型,实现更快的充电速度,更长的续航里程以及更低的功耗和排放。 三安发布的碳化硅MOSFET量产平台,持续支持电动汽车从硅基IGBT向碳化硅MOSFET架构的转型。 电动压缩机800V平台的汽车空调控制器。车联网车载无线前传、信号功率放大器等。车规级光学感测车载雷达感测以及座舱内感测。
  • E-TRONIC 中科意创

    12V锂电管理系统(BMS)在整车系统中,12V车载电源主要承担车内照明、雨刮器等低功率设备,以及车内电子控制单元(ECU)等的供电需求,另外还在HEV及燃油车中承担启停作用。 M1系列(塑封半桥)M1模块可进一步提升新能源汽车主驱逆变器的功率密度,其专为宽禁带器件(如SiC Mosfet)在主驱逆变器应用而设计,是面向未来的新能源汽车所需要的功率模块解决方案,可以满足逆变器800V 电压平台,180kW以上的功率等级要求。 车规芯片车规12V锂电系统基础芯片(U-Chip)L9988Y是一款专注于新能源汽车12V锂电池BMS的系统基础芯片,该芯片集成了12V BMS产品需使用到的电源管理单元(PMIC),模拟前端采样单元(
  • Bestirpower 萃锦半导体

    公司致力于在新能源汽车、算力、储能、风电、工业驱动等领域,提供高可靠、高性能的分立器件、模块和板级方案,产品包括600v ~ 2000v电压平台的第三代半导体碳化硅 SiC MOSFET 和模块,、硅基超结 1200V和1700VSiC二极管,适用于多种需要卓越效率和更高系统鲁棒性的应用,为各种功率转换系统(如消费、工业和汽车应用)提供解决方案。 SJ MOS的击穿电压范围从600 V到650 V,可提供多种封装选项。 V内 全 阶 段 适 应 的M O S管 , 还 可 为600V~800V高压类源的反激辅助供电提供高BV的器件。 我们还专门为快充市场定制了具有更低的Qg值、更快的开关速度、更小的弥勒平台、更小的Ciss和经过优化的非线性Coss.固态断路器萃锦开发的SiC MOSFET 优化了元胞结构,具有导通损耗低,开关损耗小
  • Reactor 亚成微电子

    目前,基于“高速率功率集成技术平台”,亚成微已量产射频调制电源芯片(ET/APT)、智能配电/SSPC芯片、AC/DC电源管理芯片、照明驱动芯片、功率MOSFET、模组封装类产品等六大产品线。 功率器件亚成微拥有40V-1200V的电压平台,功率器件产品线覆盖600V、650V、700V、800V的高压超结MOSFET,40V-100V的中低压MOSFET,以及平面MOSFET。 亚成微输出电压为12V的36W、24W、18W、12W系列无Y开关电源应用方案,满足客户在开关电源上的要求,电源符合4KV雷击标准。
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    2022-03-23
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