PLASSYS 的产品线范围涵盖热蒸发、电子束蒸发、溅射沉积、CVD 金刚石生长、离子枪辅助沉积和离子蚀刻系统。PLASSYS也是小规模生产系统的供应商。

奕斯伟材料在硅片技术、制造工艺等领域掌握数百项核心技术专利，拥有成熟量产能力，具备无缺陷晶体生长、高品质外延生长、硅片加工等自主关键技术，采用领先工艺及量测设备，对生产全过程进行高标准品质管控（已通过ISO 晶体生长奕斯伟材料组建了模拟、设计和工艺开发的晶体生长研发团队。一方面，优化特性参数的径向/轴向均匀性，完善小尺寸缺陷的评价技术，提升无缺陷晶体的品质。 工艺技术拉晶拉晶工序是指通过12英寸晶体生长，将高纯多晶硅原料通过直拉法，外加磁场抑制熔体对流并控制杂质，生长出缺陷可控、杂质含量低、电阻率均匀分布的高品质12英寸单晶硅棒。 外延外延工序是以抛光片作为衬底，采用化学气相沉积法（CVD），在硅片表面沉积一层单晶外延层的过程。该工艺采用先进的CVD设备，能够有效控制外延层的电阻率、厚度均匀性、表面品质与边缘形貌。 外延片外延片是在抛光片基础上，通过化学气相沉积方法在硅片表面生长一层外延硅单晶薄膜的硅片产品。外延片能实现不同于抛光片的优良近表面特性，满足不同客户对硅片的定制化需求。

经过长达几十年的发展在国内开始出现Parylene用特殊的真空气相沉积工艺（CVD技术）制备，由活性小分子在基材表面"生长"出的聚合物薄膜涂层，它能涂敷到各种形状的表面，包括尖锐的棱边，号称"无孔不入"