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ProMOS自主开发140纳米至63纳米内存产品: SDR、DDR、DDR2、DDR3、移动DRAM等系列。提供定制存储产品解决方案和各种信息集成应用服务，为企业和客户创造价值。
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万荣星实业旗下主要代理品牌国内华存（EMMC DDR3 DDR4 NAND fIash ）主要合作客户：深圳亿缔迈仪表、路畅科技、迈瑞、上海绿联软件、龙旗科技、南京紫米、西门子、杭州海康威视、大华技术、远方光电、
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Alliance Memory 联盟记忆我们的产品组合包括用于主流数字信号处理器 (DSP) 和微控制器的全系列 3.3V 和 5V 异步 SRAM；和同步 SRAM、低功耗 SRAM、伪 SRAM、3.3V 同步 DRAM (SDR)、移动 DDR 、2.5V 单 (DDR1)、1.8V 双 (DDR2) 和 1.5V 和 1.35V 三倍速率 (DDR3) 1.2V四倍速率 (DDR4) 同步 DRAM，以及 5V 并行 NOR 闪存设备。
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Payton 沛顿科技沛顿科技自成立以来一直专注于高端存储芯片 (DRAM、NAND FLASH) 封装和测试服务，目前是国内的高端存储器封装测试内资企业，具备动态存储颗粒DDR5、DDR4、DDR3以及LPDDR5、LPDDR4 、LPDDR3和固态硬盘SSD的封装测试量产能力。
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Dosilicon 东芯半导体Independent innovation ability前瞻性产品研发，布局前沿技术，增强技术和产品持续创新能力主要产品SPI NAND Flash，PPI NAND Flash，SPI NOR Flash，DDR3
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Yclongsto 源创存储内存条源创存储Yclongsto品牌下DDR3/DDR4内存条，主流规格为UDIMM/SODIMM。
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UnilC 紫光国芯在面向大数据和人工智能等新兴领域，公司采用三维集成技术，实现将逻辑晶圆和DRAM晶圆的异质集成，开发出高带宽、大容量的3D DRAM芯片，及内嵌超高带宽超低功耗DRAM的人工智能（AI）芯片。 主要产品覆盖标准SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和移动用LPDDR、LPDDR2、LPDDR4，其中二十余款产品实现全球量产和销售;存储器模组产品包括服务器内存模组(RDIMM)、笔记本内存模组
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Rayson 晶存科技测试和销售于一体的存储芯片国家高新技术企业，晶存子公司妙存科技拥有闪存控制器芯片研发能力及固件开发能力，是国家级专精特新“小巨人”企业晶存具备完整的存储解决方案能力，产品涵盖NAND FLASH控制器芯片eMMC、DDR3 主要产品闪存控制器自主研发eMMC闪存控制器，其具备高性能、高稳定性、低功耗等特性，符合JEDECeMMC V5.1标准协议并向下兼容，支持各种主流 2D/3D SLC/MLC/TLC NAND Flash ，搭载该自研闪存控制器的eMMC产品已通过AEC-Q100车规级存储器认证，消费级嵌入式存储晶存具备完整的存储解决方案能力，推出的消费级嵌入式存储系列芯片涵盖 eMMC、DDR3/4、LPDDR4/4X 晶存自产SSD，以最新3D NAND技术，保障产品性能领先，提升竞争力和市场响应速度。DRAM内存模组该产品线采用先进技术生产DDR5和DDR4系列内存模组，确保高性能、高品质、高可靠性。
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DERA 得瑞领新控制器，带 ECC 保护，支持 DDR4/DDR3/LPDDR4/LPDDR3，DRAM 最大容量32GB4KB 码长 LDPC 纠错算法内部 RAM 均有 ECC 保护，内部数据通道有完整端到端数据保护支持 2、除基础的 ECC 功能外，EMEI 控制器还对内部数据通道提供了完整的保护，包括通过外置 DDR、内置 SRAM 的 ECC 保护，以及完整的数据传输端到端数据保护。 MENG 控制器提供双路 DDR 接口，在满足高带宽读写操作的同功能特性遵循 NVMe 1.3 标准，支持 PCle Gen3x4支持 NVMe 可选命令及厂商定制命令，开发者可通过固件定制实现产品差异化支持一线厂商主流 控制器，带 ECC 保护，支持 DDR3L 1333 MT/s；最大 DRAM 容量16GB支持 AES256 硬件加密SPI NOR (带 ECC)，及多种通用接口：5路 UART、2路12C、16 3、考虑到 NAND 单元会有一定概率会出现不可纠正的错误，尤其是随着设备进入寿命后期，这种错误发生的概率将显著提高。
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网络设备拉动需求，业内人士预测 DDR3 Q3 供不应求2022-04-22
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消息称三星电子 2023 年起不再接受 DDR3 内存新订单2022-03-31
